蓮見 秀世 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 村上 智樹

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 山口 昌幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 山崎 裕幸

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 細田 哲也

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 森本 卓夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小松 啓郎

  Nec

• 杉山 優子

  Nec光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 北村 光弘

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  NEC光・無線デバイス研究所

• 加藤 友章

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 加藤 友章

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 杉山 優子

  NEC化合物デバイス事業部

• 榎谷 順

  NEC化合物デバイス事業部

• 冨田 恵作

  NEC化合物デバイス事業部

• 高野 信司

  NEC化合物デバイス事業部

• 安食 浩司

  NEC関西

• 谷口 義登

  NEC関西

• 小松 哲郎

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 北村 光弘

  Nec

• 田辺 浩一

  NEC 関西

• 安食 浩司

  NEC 関西

• 谷口 義登

  NEC 関西

• 松前 友彦

  NEC 関西

• 冨田 恵作

  Nec化合物デバイス

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著作論文

• 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
• 1.3μm帯 CATV 用 ASM-DFB LD
• 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
• 全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
• 耐環境性1.3μm帯歪MQWλ/4シフトDFB-LD
• 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
• 全MOVPE選択成長型1.3μm歪MQW-BHレーザの高均一特性
• 1.3μm・歪MQW-ASM-RIB-PBHレーザにおける高均一・低しきい値動作

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