山口 昌幸 | NEC化合物デバイス事業部

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概要

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関連著者

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  Nec

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北村 昌太郎

  NEC 化合物デバイス(事)

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小松 啓郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 加藤 友章

  NEC光・無線デバイス研究所

• 加藤 友章

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 北村 光弘

  Nec

• 山口 昌幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 北村 直樹

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 木村 直樹

  NEC伝送デバイス事業部

• 玉貫 岳正

  日本電気(株)ネットワーキング研究所

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NEC光・無線デバイス研究所

• 玉貫 岳正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 北村 昌太郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 佐々木 純一

  山梨日本電気株式会社光モジュール開発グループ

• 山崎 裕幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 伊藤 正隆

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 横山 吉隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 下田 毅

  NECネットワーキング研究所

• 北村 光弘

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山崎 裕幸

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 下田 毅

  NEC光・無線研究所

• 下田 毅

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 佐々木 純一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 伊藤 正隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 北村 光弘

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 北村 直樹

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NEC Ul開研

• 石坂 政茂

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 北村 光弘

  日本電気 光エレクトロニクス研

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 工藤 耕治

  NECシステムデバイス研究所

• 浜本 貴一

  NECシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 福知 清

  システムプラットフォーム研究所

• 加藤 友章

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  関西エレクトロニクス研究所

• 畠山 大

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  日本電気株式会社

• 工藤 耕治

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 沼田 圭市

  NEC

• 矢野 隆

  日本電気株式会社光ネットワーク事業部

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 江村 克己

  Nec C&cメディア研究所

• 江村 克己

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC化合物デバイス(株)

• 奥田 哲朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 福知 清

  Nec C&cメディア研究所

• 御田村 和宏

  Nec化合物デバイス株式会社

• 横山 吉隆

  NEC化合物デバイス事業部

• 正岡 剛

  九州電子株式会社

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 沼田 圭市

  NEC光・無線デバイス研究所

• 吉田 信秀

  NEC光・無線デバイス研究所

• 向原 一誠

  NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部

• 北村 昌太郎

  NEC化合物デバイス事業部

• 吉田 信秀

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北村 昌太郎

  化合物デバイス事業部

• 高井 徹

  NEC関西

• 加藤 広己

  NEC関西

• 谷口 義登

  NEC関西

• 阪田 康隆

  ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  ULSIデバイス開発研究所

• 正岡 剛

  九州電子

• 浜本 貴一

  NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 畠山 大

  NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 蔵田 和彦

  NEC第二伝送通信事業部

• 木村 直樹

  NEC第二伝送事業部

• 木田 信夫

  NEC光エレクトロニク ス研究所

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 松島 裕一

  (株) Kddi研究所

• 山下 真

  和歌山大学大学院

• 山下 真

  大阪工業大学工学部

• 堀内 幸夫

  (株)KDDI研究所

• 伊藤 彰浩

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 矢野 隆

  NEC C&C メディア研究所

• 山下 真

  NEC 第三伝送通信事業部

• 洲崎 哲行

  NEC C&C メディア研究所

• 小野 隆志

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 矢野 隆

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 福知 清

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 伊東 俊治

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 小野 隆志

  Necネットワーキング研究所

• 小野 隆志

  Necビジネスイノベーションセンター

• 加藤 友章

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 松島 裕一

  (株)KDD研究所

• 屋敷 健一郎

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 杉山 優子

  Nec光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 佐藤 健二

  東洋通信機

• 山本 周

  (株)KDD研究所

• 北村 光弘

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 北村 光弘

  日本電気株式会社 光エレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 浜本 貴一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 渡邊 功

  Nec化合物デバイス(株)

• 田中 信介

  (株) Kddi研究所

• 伊藤 彰浩

  NEC化合物デバイス株式会社

• 向原 一誠

  NEC化合物デバイス株式会社

• 吉野 隆

  NEC化合物デバイス事業部

• 岩永 貴裕

  NEC化合物デバイス事業部

• 村井 暢洋

  NEC化合物デバイス事業部

• 佐藤 成哲

  NEC化合物デバイス事業部

• 森本 卓夫

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 山本 周

  Kddi米国研究所

• 山本 周

  Kddi研究所

• 佐藤 成哲

  NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部

• 加藤 友章

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 和田 茂己

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 安食 浩司

  NEC関西

• 浜本 貴一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 木村 直樹

  NEC第2伝送通信事業部

• 松島 裕一

  株式会社KDD研究所

• 堀田 昌克

  (株)KDD研究所

• 田中 信介

  (株)KDD研究所

• 山本 杲也

  帝京科学大学

• 清水 淳一

  NEC Ul開研

• 横山 吉隆

  NEC 光・超高研

• 山崎 裕幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  関西エレ研

• 石坂 政茂

  NEC光超高周波研究所

• 加藤 広巳

  NEC関西

• 工藤 耕治

  NEC光超高周波研究所

• 山口 昌幸

  NEC光超高周波研究所

• 井元 康雅

  NECULSIデバイス開発研究所

• 小松 啓郎

  NEC化合物デバイス事業部

• 阪田 康隆

  NEC LSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC LSIデバイス開発研究所

• 森江 正夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 向原 一誠

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 清水 淳一

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 長谷川 芳弘

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 高野 信司

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 渡部 信孝

  NEC光エレクトロニクス研究所、第二伝送事業部

• 小松 哲郎

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 江村 克己

  Nec C&cメディア研

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 細田 哲也

  NEC化合物デバイス株式会社

• 渡邊 泰弘

  NEC化合物デバイス株式会社

• 牧田 紀久夫

  NEC光・無線研究所

• 福知 清

  C&Cメディア研究所

• 横山 吉隆

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 横山 吉隆

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 浜本 貴一

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 吉野 隆

  化合物デバイス(事)

• 中谷 竜毅

  九州電子株式会社

• 山口 昌幸

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 横山 吉隆

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 水戸 郁夫

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 伊藤 正隆

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 洲崎 哲行

  Nec C&cメディア研究所

• 洲崎 哲行

  Nec C&cメディア研

• デランセ フィリップ

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 堀田 昌克

  (株) Kdd研究所

• 森江 正夫

  Nec C&cメデイア研究所

• 浅野 英樹

  日本電気株式会社エレクトロニクス研究所

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著作論文

• 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
• 1.58μm帯を用いた640Gb/s DSF 400km WDM 伝送実験
• 光デュオバイナリ方式を用いたWDM高密度多重化の検討
• 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
• ウエハ内一括形成されたディチューニング制御広波長域(>70 nm)異波長DFB-LD
• バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
• C-3-52 波長ロッカー内蔵4波チューナブルLDの高波長安定動作
• C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
• C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
• ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
• ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
• ハイブリッド光集積モジュール : 光波ネットワークシステムのための光MCM技術
• 石英系光導波路ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
• 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
• 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
• 光ゲート用SSC-SOA
• 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
• S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
• 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
• 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
• MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
• 10Gb/s光通信用バタフライ型EA変調器集積光源モジュール
• EA変調器の順方向自己バイアス現象によるチャーピングの増大とその抑制
• DFB-LD/変調器集積化光源における低電圧・高出力化の検討
• 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
• 変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(II)
• C-3-52 10Gb/s用プリアンプ内蔵小型APD光受信モジュール
• B-10-59 低消費電力EA変調器ドライバIC内蔵10Gb/s光送信モジュール
• 低消費電力10Gb/s EA変調器ドライバIC
• B-10-147 SOAを用いたWDM光アクセス方式の基礎検討
• マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
• マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
• マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
• 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製
• SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
• C-4-43 波長ロッカー内蔵チューナブル光源
• C-3-106 波長ロッカー内蔵DFB-LDモジュール
• SC-3-5 WDM用PICの極小化を可能とするマイクロアレイ技術
• 1.55μm帯LDアンプゲートモジュール
• 1.55μm帯LDアンプゲートモジュール
• 波長可変階段型導波路構造(TSG)DBR LDによる単一電流連続波長制御
• 2.5Gbps変調器集積化光源モジュ-ルNDL7910P (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション関連デバイス)
• 多波長マイクロアレイ半導体レーザ
• MOVPE 選択成長と半導体集積回路への応用
• 高利得・高消光比S字斜め端面型SSC-SOA
• オフ基板を用いた斜め端面LDアンプ
• WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
• WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
• WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
• WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
• WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
• WDM用波長制御DFB LD
• 狭幅選択MOVPEによる1.3μmスポットサイズ変換器集積LDのテーパ導波路形状の制御
• パッシブアライン高効率光結合スポットサイズ変換LD Siベンチ
• 回折格子の精密制御EB描画によるWDM用異波長DFB-LDの一括形成
• MOVPE選択成長を用いた多波長レーザアレイ

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