高井 徹 | NEC関西
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概要
関連著者
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小松 啓郎
Nec
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
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阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
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高井 徹
NEC関西
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加藤 広己
NEC関西
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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井元 康雅
Nec Ul開研
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山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
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山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
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石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
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室谷 義治
関西エレ研
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谷口 義登
NEC関西
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石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
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石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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工藤 耕治
NEC光・無線デバイス研究所
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安食 浩司
NEC関西
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石坂 政茂
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
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石坂 政茂
NEC光超高周波研究所
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室谷 義治
関西エレクトロニクス研究所
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加藤 広巳
NEC関西
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工藤 耕治
NEC光超高周波研究所
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山口 昌幸
NEC光超高周波研究所
著作論文
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法