井元 康雅 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC ULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 小松 啓郎

  Nec

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石坂 政茂

  NEC Ul開研

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 安食 浩司

  NEC関西

• 横山 吉隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 高井 徹

  NEC関西

• 加藤 広己

  NEC関西

• 谷口 義登

  NEC関西

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 山崎 裕幸

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 細田 哲也

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 森本 卓夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石坂 政茂

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 北村 昌太郎

  NEC 化合物デバイス(事)

• 室谷 義治

  関西エレ研

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 山崎 裕幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC化合物デバイス(株)

• 奥田 哲朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 村上 智樹

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 山本 雅樹

  Nec化合物デバイス事業部

• 北村 光弘

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 加藤 友章

  NEC光・無線デバイス研究所

• 加藤 友章

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 福知 清

  システムプラットフォーム研究所

• 福知 清

  Nec C&cメディア研究所

• 加藤 友章

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 北村 昌太郎

  NEC化合物デバイス事業部

• 屋敷 健一郎

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 清水 淳一

  NEC Ul開研

• 横山 吉隆

  NEC 光・超高研

• 石坂 政茂

  NEC光超高周波研究所

• 室谷 義治

  関西エレクトロニクス研究所

• 加藤 広巳

  NEC関西

• 工藤 耕治

  NEC光超高周波研究所

• 山口 昌幸

  NEC光超高周波研究所

• 石坂 政茂

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 清水 淳一

  NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部

• 小松 哲郎

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 北村 光弘

  Nec

• 田辺 浩一

  NEC 関西

• 安食 浩司

  NEC 関西

• 谷口 義登

  NEC 関西

• 松前 友彦

  NEC 関西

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

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著作論文

• 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
• 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
• 1.3μm帯 CATV 用 ASM-DFB LD
• 高温高信頼1.3μm歪MQW-ASM-DC-PBHレーザ
• 全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
• C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
• 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
• SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
• 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
• 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
• バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
• 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
• SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
• 全MOVPE選択成長型1.3μm歪MQW-BHレーザの高均一特性
• 1.3μm・歪MQW-ASM-RIB-PBHレーザにおける高均一・低しきい値動作

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