10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
電界吸収型変調器にプリバイアスを印和する事により変調時のチャーピングを低減して,10Gb/sにおける分散制限伝送距離を伸ばす事が報告されている.量子井戸構造に垂直電界を印加した場合の吸収係数及び屈折率の変化を計算し,更に変調信号と共に動的に変動する屈折率(動的チャープ)の効果を考慮した伝送シミュレーションを行った.これにより,プリバイアス印加による負チャープ機構を明確にすると共に,分散制限伝送距離に対するプリバイアス印加法の実用的なトレランスを明らかにした.また,10Gb/s光通信用バタフライ型変調器集積化光源モジュールを開発した.
- 1996-12-10
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小松 啓郎
Nec
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
石坂 政茂
NEC光エレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
井元 康雅
Nec Ul開研
関連論文
- 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
- シリコン細線リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.58μm帯を用いた640Gb/s DSF 400km WDM 伝送実験
- 光デュオバイナリ方式を用いたWDM高密度多重化の検討
- 全選択MOVPE成長半導体レーザ (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
- ウエハ内一括形成されたディチューニング制御広波長域(>70 nm)異波長DFB-LD
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- 29a-ZF-3 選択MOVPE成長で製作した埋め込み構造曲線導波路の過剰損失評価
- バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
- 通信用光デバイスの低消費電力化 (特集 ネットワークの省エネ化を実現する光技術)
- C-3-65 シリコン導波路を利用した光合分波器集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-35 シリコン細線型リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-43 10Gb/s 直接変調 DFB-TOSA の開発
- C-4-11 10Gb/s 用 LDD 内蔵表面実装型直接変調 DFB レーザモジュール
- C-3-52 波長ロッカー内蔵4波チューナブルLDの高波長安定動作
- C-3-64 シリコン導波路を用いた小型低消費電力波長可変レーザモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコン細線リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 500mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
- C-4-15 200mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
- 高温高信頼1.3μm歪MQW-ASM-DC-PBHレーザ
- 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
- C-4-10 10GBASE-LRM用直接変調FP-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- ハイブリッド光集積モジュール : 光波ネットワークシステムのための光MCM技術
- 石英系光導波路ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 光ゲート用SSC-SOA
- 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
- S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
- 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
- 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
- MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
- 10Gb/s光通信用バタフライ型EA変調器集積光源モジュール
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討
- MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- EA変調器の順方向自己バイアス現象によるチャーピングの増大とその抑制
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- DFB-LD/変調器集積化光源における低電圧・高出力化の検討
- 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
- オフセットバイアス・フリーでプッシュプル駆動可能な半導体Mach-Zehnder変調器
- 選択MOVPE法による低動作電流型LDアンプアレイ
- 吸収変化を伴うMQW Mach-Zehnder変調器におけるチャーピングの解析
- 変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(II)
- MOVPE選択成長による偏光無依存型1.3μm帯LDアンプアレイ
- C-3-52 10Gb/s用プリアンプ内蔵小型APD光受信モジュール
- B-10-59 低消費電力EA変調器ドライバIC内蔵10Gb/s光送信モジュール
- 低消費電力10Gb/s EA変調器ドライバIC
- B-10-147 SOAを用いたWDM光アクセス方式の基礎検討
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
- 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- 波長多重光通信用半導体レーザー
- C-4-43 波長ロッカー内蔵チューナブル光源
- C-3-106 波長ロッカー内蔵DFB-LDモジュール
- SC-3-5 WDM用PICの極小化を可能とするマイクロアレイ技術
- 1.55μm帯LDアンプゲートモジュール
- 1.55μm帯LDアンプゲートモジュール
- 2.5Gbps変調器集積化光源モジュールのWDM対応 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- オプトエレクトロニクス・光デバイス
- SC-3-3 光アクセス系用半導体レーザ
- 波長可変階段型導波路構造(TSG)DBR LDによる単一電流連続波長制御
- 2.5Gbps変調器集積化光源モジュ-ルNDL7910P (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション関連デバイス)
- 多波長マイクロアレイ半導体レーザ
- MOVPE 選択成長と半導体集積回路への応用
- 高利得・高消光比S字斜め端面型SSC-SOA
- オフ基板を用いた斜め端面LDアンプ
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用波長制御DFB LD
- 狭幅選択MOVPEによる1.3μmスポットサイズ変換器集積LDのテーパ導波路形状の制御
- パッシブアライン高効率光結合スポットサイズ変換LD Siベンチ
- 回折格子の精密制御EB描画によるWDM用異波長DFB-LDの一括形成
- MOVPE選択成長を用いた多波長レーザアレイ