オフセットバイアス・フリーでプッシュプル駆動可能な半導体Mach-Zehnder変調器
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概要
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光通信システムの長距離・大容量化に伴い、外部変調器の導入が始まっている。特に10Gb/s以上の1.3μm零分散ファイバ伝送系では、原理的にチャープレスなMach-Zehnder(MZ)変調器を用いることが望まれている。前回我々は、屈折率変化と同時に吸収変化を伴うInGaAsP/InP MQW MZ変調器ではチャーピングが生ずるが、このチャーピングは磁変調器の駆動条件によって制御でき、特にプッシュプル(p-p)駆動を用いればパルス圧縮が可能である事を示した。しかしながら、半導体MZ変調器の従来のp-p駆動方法では、MZ変調器の一方のアームに通常Vπ/2のDCオフセットバイアスが必要であり、モジュール化の際にはバイアスティー等のマイクロ波回路を組み込む必要があった。今回、我々はバイアスティー等を用いる必要のないp-p(DCp-p)駆動が可能な新構造のMZ変調器を提案する。また実際に素子を試作し、1.3μm零分散ファイバを用いて、10Gb/s-40kmの伝送実験を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小松 啓郎
Nec
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
NEC光エレクトロニクス研究所
-
森江 正夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
清水 淳一
NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部
-
森江 正夫
Nec C&cメデイア研究所
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