MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
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概要
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近年, 増加の一途をたどる通信需要に応じて既設の1.3μm帯通常分散ファイバー網でも長距離・大容量伝送が可能な光ファイバー通信システムか望まれている。従来のDFBレーザ直接変調方式では, 波長チャーピングによる光波形劣化により伝送距離が制限される。このため, 低チャープ光源デバイスとして電界吸取効果を用いた光強度変調器に期待が集まっている。特に, DFBレーザと電界吸収型変調器をモノリシックに集積した変調器集積化光源では, 変調器の偏波依存性やレーザとの結合損による変調光出力の低下等の問題点が解決するだけでなく, 通常のDFBレーザと同サイズのパッケージに実装でき, 光送信機の小型化が可能となる。我々はこれまで2.5 Gb/s及び10 Gb/s変調器集積化光源の開発を独自の選択MOVPEを用いて行ってきたので最近の進展について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小松 啓郎
Nec
-
小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
NEC光エレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
NEC LSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC LSIデバイス開発研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
井元 康雅
Nec Ul開研
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