2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-07
著者
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工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
山口 昌幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
小松 啓郎
Nec
-
室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
-
屋敷 健一郎
NEC 光・無線デバイス研究所
-
清水 淳一
NEC Ul開研
-
石坂 政茂
NEC Ul開研
-
横山 吉隆
NEC 光・超高研
-
北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
-
石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
-
井元 康雅
Nec Ul開研
-
石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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