重み付けEB露光法によるDFBレーザの発振波長精密制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光波ネットワークで重要となる, 発振波長が精密に制御されたDFBレーザの回折格子形成方法として, 電子照射量重み付けEB露光法(WAVE: Weighted-dose Allocation Variable-pitch EB-lithogaphy)を提案した. このWAVE法と高均一MOVPE成長を組み合わせることにより, 多波長DFBレーザアレイを作製しウェハ面内での波長均一性として標準偏差0.37nmを得た. sさらに本露光方法を用いて, DFBレーザの共振器方向の電界強度分布を平坦化できるチャープ回折格子を有するDFBレーザを作製した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-31
著者
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
中村 隆弘
NEC関西エレクトロニクス研究所
関連論文
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- TC-3-2 DFBレーザの高歩留まり・高性能化に向けた設計シミュレーション
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- PC-LDの反射戻り光耐性の回折格子長依存性
- B-10-43 10Gb/s 直接変調 DFB-TOSA の開発
- C-4-11 10Gb/s 用 LDD 内蔵表面実装型直接変調 DFB レーザモジュール
- C-4-10 10GBASE-LRM用直接変調FP-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- アレイPC-LD を用いたマルチLD方式による低雑音サブキャリア多重光伝送の検討
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-47 85℃, 10Gb/s直接変調用低閾値1.3μm帯AlGaInAs BHレーザ
- C-3-42 10Gb/s小型光電気集積実装プラットフォーム
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- C-3-115 LDのSPICEモデルを用いた統一シミュレーションによる光トランシーバ設計
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 水平テーパアクティブストライプ型スポットサイズ拡大高効率1.3μm MQWレーザ
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- C-4-36 並列光伝送用素子分離型アレイLD
- 1.3μm帯歪MQWレーザの高温高効率特性
- DFBレーザアレイの発振波長精密制御
- TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性
- 光加入者系耐環境無調整MQWレーザ
- 安定な変調歪位相特性を有する部分回折格子レーザ
- 半導体レーザの変調2次歪の発生機構
- SCM伝送用広帯域・低歪MQW-DFBレーザ
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- 重み付けEB露光法によるDFBレーザの発振波長精密制御
- 有機V族を用いた高均一長波長半導体レーザ
- 重み付けEB露光「WAVE」によるDFB-LDの回折格子周期精密制御
- 大容量CATV用部分回折格子レーザ
- 光加入者系無調整レーザとターシャリブチルMOVPEフルウェハ技術
- 広帯域CATV用低歪PC-LDアレイ
- 1.3μm短共振器歪MQWレーザの無バイアス変調動作
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- 高効率な非対称回折格子周期変調位相シフトDFBレーザ
- 重み付けEB露光によるDFBレーザ回折格子の位相精密制御
- モード干渉を用いたスポットサイズ変換レーザ
- ストライプ状AuSnバンプを用いたLDアレイモジュールのセルフアライメント実装
- AuSnバンプ・セルフアライメントによる光モジュールの無調整実装
- AuSnバンプ・セルフアライメントによる光モジュールの無調整実装
- ストライプ状AuSnバンプを用いたLDモジュールのセルフアライメント実装
- ストライプ状AuSnバンプによる光素子の三次元高精度セルフアライメント実装