中村 隆宏 | NECシステムデバイス研究所

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概要

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関連著者

• 中村 隆宏

  NECシステムデバイス研究所

• 鳥飼 俊敬

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 奥田 哲朗

  NEC化合物デバイス(株)

• 奥田 哲朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 鈴木 尚文

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 鈴木 尚文

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 小林 隆二

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 大澤 洋一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 鶴岡 清貴

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中村 隆宏

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 宇田 明弘

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 鳥飼 俊敬

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 山田 博仁

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 小林 隆二

  Necシステムデバイス研究所

• 石川 信

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 鶴岡 清貴

  NECシステムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  NECシステムデバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC化合物デバイス(株)

• 石川 信

  NEC化合物デバイス(株)

• 大澤 洋一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 中村 隆宏

  NEC光・無線デバイス研究所

• 山田 博仁

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 次田 拓実

  NEC システムデバイス研究所

• 福島 淳

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 鈴木 尚文

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中村 隆宏

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 福島 淳

  Nec

• 小林 健一

  Nec光・無線デバイス研究所

• 徳留 圭一

  NECシステムデバイス研究所

• 黄 翊東

  NECシステムデバイス研究所

• 小林 隆二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 鶴岡 清貴

  NEC光・無線デバイス研究所

• 厚井 大明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 次田 拓実

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 鈴木 尚文

  NECシステムデバイス研究所

• 阿南 隆由

  NECシステムデバイス研究所

• 佐藤 健二

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 鈴木 尚文

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 阿南 隆由

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山田 みつき

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 山田 みつき

  Nec システムデバイス研究所

• 西 研一

  Nec

• 阿江 敬

  NEC光・無線デバイス研究所

• 山田 みつき

  NECシステムデバイス研究所

• 西 研一

  NECシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清隆

  NEC光・無線デバイス研究所

• 寺門 知二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 栗原 香

  NEC光・無線デバイス研究所

• 五明 明子

  NEC光・無線デバイス研究所

• 山田 博仁

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 鳥飼 俊敬

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 鈴木 尚文

  NEC光無線デバイス研究所

• 次田 拓実

  NEC光無線デバイス研究所

• 中村 隆宏

  NEC光無線デバイス研究所

• 佐藤 健二

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 中村 隆宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 宇治 俊男

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 阿江 敬

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 寺門 知二

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宇治 俊

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 中村 隆弘

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宇治 俊男

  Nec 関西エレクトロニクス研

• 西 研一

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

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著作論文

• 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
• C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
• 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-47 85℃, 10Gb/s直接変調用低閾値1.3μm帯AlGaInAs BHレーザ
• 水平テーパアクティブストライプ型スポットサイズ拡大高効率1.3μm MQWレーザ
• C-4-36 並列光伝送用素子分離型アレイLD
• 1.3μm帯歪MQWレーザの高温高効率特性
• DFBレーザアレイの発振波長精密制御
• TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
• 重み付けEB露光法によるDFBレーザの発振波長精密制御
• 有機V族を用いた高均一長波長半導体レーザ
• モード干渉を用いたスポットサイズ変換レーザ

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