徳留 圭一 | NECシステムデバイス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 尚文
NECシステムデバイス研究所
-
阿南 隆由
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
-
西 研一
Nec
-
山田 みつき
NECシステムデバイス研究所
-
西 研一
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
著作論文
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)