徳留 圭一 | 日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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徳留 圭一
日本電気株式会社
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畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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辻 正芳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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辻 正芳
グリーンイノベーション研究所
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深津 公良
NECシステムデバイス研究所
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深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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屋敷 健一郎
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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赤川 武志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
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加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
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鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
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難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
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徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
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大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
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加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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加藤 友章
Necシステムipコア研究所
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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三浦 貞彦
日本電気株式会社
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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小池 洋紀
福岡県産業科学技術振興財団
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鶴岡 清貴
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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小林 隆二
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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難波江 宏一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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崎村 昇
日本電気株式会社
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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根橋 竜介
日本電気株式会社
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山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
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羽生 貴弘
東北大学
-
森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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遠藤 哲郎
東北大学
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辻 幸秀
日本電気株式会社
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深見 俊輔
東北大学
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笠井 直記
東北大学
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羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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小池 洋紀
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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大澤 隆
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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大野 英男
東北大学
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鈴木 哲広
ルネサスエレクトロニクス
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木下 啓藏
東北大学
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森岡 あゆ香
日本電気株式会社
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遠藤 哲郎
東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
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池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
著作論文
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CS-4-7 高速・大容量データ通信用VCSEL(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)