羽生 貴弘 | 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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三浦 貞彦
日本電気株式会社
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松永 翔雲
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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小池 洋紀
福岡県産業科学技術振興財団
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徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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松永 翔雲
東北大学電気通信研究所
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小池 洋紀
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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大澤 隆
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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遠藤 哲郎
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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遠藤 哲郎
東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
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木下 啓蔵
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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徳留 圭一
日本電気株式会社
著作論文
- MTJベース完全並列形不揮発TCAMの設計(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)