遠藤 哲郎 | 東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
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概要
関連著者
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遠藤 哲郎
東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター
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羽生 貴弘
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大野 英男
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大野 英男
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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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東北大学電気通信研究所
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三浦 貞彦
日本電気株式会社
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羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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東北大学
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東北大学大学院工学研究科
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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遠藤 哲郎
東北大学大学院工学研究科:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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羽生 貴弘
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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池田 正二
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所
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徳留 圭一
日本電気株式会社
著作論文
- 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
- Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies
- 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向