大野 英男 | 東北大学電気通信研究所

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 東北大学電気通信研究所の論文著者

関連著者

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 大野 英男

  東北大通研

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ

• 竹村 理一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 早川 純

  (株)日立製作所基礎研究所

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所基礎研究所

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文〓

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• 山ノ内 路彦

  (株)日立製作所基礎研究所

• 早川 純

  (株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所基礎研究所

• 大谷 啓太

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 大野 英男

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 松岡 秀行

  (株)日立製作所基礎研究所

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 早川 純

  日立 中研

• 早川 純

  日立 基礎研

• 池田 正二

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 高橋 宏昌

  日立製作所ST研究センター

• 大野 裕三

  東北大通研

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所中央研究所

• 三浦 勝哉

  (株)日立製作所基礎研究所

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所研究開発本部

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所

• 佐々木 龍太郎

  東北大学電気通信研究所

• 大野 裕三

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• 佐々木 龍太郎

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 三浦 勝哉

  日立製作所基礎研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学 学際科学国際高等研究センター

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 早川 純

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 松岡 秀行

  日立製作所基礎研究所

• 大野 英男

  東北大 電通研

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所 中央研究所

• 松岡 秀行

  (株)日立製作所中央研究所

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 早川 純

  日立製作所基礎研究所

• 千葉 大地

  科学技術振興機構erato

• 早川 純

  日立製作所 基礎研究所

• 笠井 直記

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 大野 英男

  東北大学

• 遠藤 哲郎

  東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター

• 高橋 宏昌

  日立製作所基礎研究所

• 李 永〓

  東北大学電気通信研究所

• 目黒 敏靖

  東北大学電気通信研究所

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 松崎 望

  (株)日立製作所中央研究所

• 松倉 文〓

  東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 山本 浩之

  (株)日立製作所基礎研究所

• 長谷川 晴弘

  (株)日立製作所基礎研究所

• 長谷川 晴弘

  日立製作所基礎研究所

• 李 永〓

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 目黒 敏靖

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文

  東北大学 電気通信研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学大学院工学研究科

• 小池 洋紀

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 大澤 隆

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 深見 俊輔

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 根橋 竜介

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 本庄 弘明

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 三浦 貞彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 平家 誠嗣

  日立基礎研

• 橋詰 富博

  日立基礎研

• 平家 誠嗣

  株式会社日立製作所基礎研究所

• 橋詰 富博

  東北大WPI-AIMR

• 市村 雅彦

  日立基礎研

• 河原 尊之

  日立製作所・中央研究所

• 中嶋 一雄

  東北大学金属材料研究所

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

• 斉藤 信作

  日本電気(株)

• 木下 啓藏

  日本電気(株)

• 崎村 昇

  日本電気株式会社

• 杉林 直彦

  日本電気株式会社

• 根橋 竜介

  日本電気株式会社

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社

• 斎藤 信作

  Nec

• 藤田 和上

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 小柳 光正

  東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 機能デバイス研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 後藤 康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 伊藤 顕知

  日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所

• 松倉 文[ひろ]

  東北大学電気通信研究所

• 栗野 浩之

  東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻

• 鈴木 大輔

  東北大学電気通信研究所

• 栗野 浩之

  東北大学大学院工学研究科バイオロボティクス専攻

• 北 智洋

  科学技術振興機構ERATO

• 山ノ内 路彦

  東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 夏井 雅典

  東北大学電気通信研究所

• 羽生 貴弘

  東北大学

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 藤森 正成

  日立中研

• 藤森 正成

  日立基礎研

• 早川 純

  日立基礎研

• 高橋 宏昌

  日立基礎研

• 伊藤 顕知

  日立ケンブリッジ研究所

• 池田 正二

  東北大通研

• 山本 浩之

  (株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 伊藤 顕知

  日立製作所生産技術研究所

• 安達 太郎

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• SALIS G.

  Department of Physics, University of California

• AWSCHALOM D.

  Department of Physics, University of California

• 山ノ内 路彦

  科学技術振興機構ERATO

• 松倉 文[ヒロ]

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 好田 誠

  東北大通研

• 松倉 文

  東北大通研

• 大西 秀和

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 森安 嘉貴

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 松岡 秀行

  日立製作所中央研究所

• 市村 雅彦

  東北大金研:日立基礎研

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所

• 秋葉 教充

  東北大学電気通信研究所

• 大宮 忠志

  東北大学電気通信研究所

• 森安 嘉貴

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:旭化成株式会社

• 夏井 雅典

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• Salis G.

  Department Of Physics University Of California

• Awschalom D.

  Department Of Physics University Of California

• 小埜 和夫

  日立製作所中央研究所

• 竹村 理一郎

  日立製作所中央研究所

• 山ノ内 路彦

  日立製作所基礎研究所

• 山本 浩之

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 小柳 光正

  東北大学大学院工学研究科

• 長谷川 晴弘

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 松崎 望

  (株)日立製作所 中央研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 好田 誠

  東北大院工:presto Jst

• 平家 誠嗣

  日立中研

• 木下 啓蔵

  東北大学

• 辻 幸秀

  日本電気株式会社

• 深見 俊輔

  東北大学

• 齊藤 信作

  日本電気株式会社

• 三浦 貞彦

  日本電気株式会社

• 笠井 直記

  東北大学

• 辻 幸秀

  NECグリーンイノベーション研究所

• 石綿 延行

  日本電気株式会社

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• 三浦 勝哉

  (株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科

• 深見 俊輔

  NECA:東北大

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
• 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
• 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
• 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
• 注入層のドーピング濃度がInAs量子カスケードレーザーの特性に及ぼす影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
• スピントロニクスの材料戦略
• 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
• 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
• スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
• 電子材料研究の環境
• 新磁性考
• MRAM技術の展望と東北大におけるITプログラム(新型不揮発性メモリー)
• 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
• III-V族強磁性半導体ヘテロ構造と半導体スピンエレクトロニクス
• 「21世紀を拓く薄膜結晶成長」特集号を組むにあたって
• スピン制御半導体の機能と可能性
• 量子カスケードレーザー用半導体材料
• 量子力スケードレーザーの現状と展望
• CS-11-5 InAsをベースとした量子カスケードレーザー(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)
• InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• ナロウギャップ半導体 InAs をベースにした量子カスケードレーザー
• 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
• 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
• 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
• 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
• III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
• 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
• スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
• 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
• シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク