大谷 啓太 | 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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概要
関連著者
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大谷 啓太
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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藤田 和上
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大西 秀和
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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森安 嘉貴
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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大谷 啓太
東北大学・通研
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大野 英男
東北大学・通研
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森安 嘉貴
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:旭化成株式会社
著作論文
- 注入層のドーピング濃度がInAs量子カスケードレーザーの特性に及ぼす影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 量子カスケードレーザー用半導体材料
- 量子力スケードレーザーの現状と展望
- CS-11-5 InAsをベースとした量子カスケードレーザー(CS-11. ミリ波・テラヘルツ波技術の新展開, エレクトロニクス1)
- InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー
- 中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- ナロウギャップ半導体 InAs をベースにした量子カスケードレーザー
- 29pYH-1 ナロウギャップ半導体量子カスケード構造を用いた長波長発光素子
- 5-3 量子カスケードレーザの短波長化・長波長化の研究動向(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)