中赤外InAs/AlGaSb量子カスケードレーザー(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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狭ギャップ半導体InAsをベースとした量子カスケードレーザーを作製した。活性領域には大きな振動子強度を持ち、かつ基底サブバンドから高速にキャリアを引き抜くことが可能なInAs/AlGaSb超格子構造を用いた。観測された発振波長城は10-14μmの領域で、いずれの構造においても設計値と良い一致を示した。観測された同値電流密度は最低で0.42kA/cm^2であり、これまで報告されている量子カスケードレーザーの最低同値電流密度に近い電流密度を実現した。又最高動作温度は270Kであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-26
著者
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