交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2004-09-21
著者
-
大野 英男
東北大通研
-
平家 誠嗣
日立基礎研
-
橋詰 富博
日立基礎研
-
平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
-
橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
-
市村 雅彦
日立基礎研
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
-
藤森 正成
日立中研
-
藤森 正成
日立基礎研
-
早川 純
日立基礎研
-
高橋 宏昌
日立基礎研
-
伊藤 顕知
日立ケンブリッジ研究所
-
池田 正二
東北大通研
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
-
池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
-
市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
-
早川 純
日立 中研
-
早川 純
日立 基礎研
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
-
池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
平家 誠嗣
日立中研
-
高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
関連論文
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
- 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
- 29p-ZE-3 走査型ホール素子顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区観察
- (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
- 24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化
- 総説:スピンエレクトロニクス (特集 スピンエレクトロニクス)
- 30p-ZF-2 低温におけるIII-V族希薄磁性半導体の電気伝導
- 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
- パターンドメディアの作製および磁気特性の評価
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性(理論)
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
- 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
- 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 2008年固体素子と材料に関する国際会議(SSDM 2008)報告
- 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
- 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクスの材料戦略
- 第17回日本IBM科学賞エレクトロニクス分野 ; 田中雅明氏
- スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 磁性半導体およびその関連構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
- 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
- 27pXJ-7 半導体へのスピン注入(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- 半導体スピントロニクスと量子コンピューティング (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
- 酸化亜鉛電界効果デバイス
- 強磁性半導体ヘテロ構造 (特集:表面・界面科学研究)
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
- 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
- III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 8a-E-17 (Ga, Mn)Asの超強磁場赤外磁気光吸収
- 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
- 27bYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
- 27pYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
- 半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)
- クローズアップ:半導体デバイスへのスピン注入を実現
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 8a-E-16 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導II
- 29p-R-6 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導
- 29p-R-5 Ga_Mn_xAs/GaAsにおける巨大な負の磁気抵抗効果
- 25a-YM-2 Si(100)2×n表面上のFeクラスター列の作製
- 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
- 長波長量子カスケード構造サブバンド間発光素子--電流注入型テラヘルツ帯光源を目指して (特集:テラヘルツ光)
- 非磁性半導体量子構造中のスピントンネル
- 30p-ZF-7 2層2次元電子間のスピン依存トンネリング
- 26pPSB-47 横振動摩擦力顕微鏡を用いた有機薄膜の粘弾性評価(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- (Ga, Mn)Asの磁性と電気伝導
- 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
- 30a-Z-13 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの磁性と電気伝導に対する圧力効果
- 31a-YP-7 希薄磁性半導体(In, Mn)Asの電流磁気効果
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 有機薄膜界面での電圧プロファイルの可視化 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (輸送現象)
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
- 28a-YN-1 Ga(Mn)Asのサブミリ波ESR
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
- III-V族希薄磁性半導体の電気伝導 : バルクと超構造
- 23pYJ-4 ケルビンプローブによる表面界面ポテンシャルマッピング(領域9シンポジウム主題:探針型プローブ-表面間相互作用の新展開,領域9,表面・界面,結晶成長)
- タイプ2 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造量子井戸サブバンド間の電流注入発光
- 26p-YE-1 2層系量子ホール効果の新展開
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)
- 7pSB-1 Ga_Mn_xAsの赤外反射スペクトル(磁性半導体,領域4)
- 7pWA-5 強磁性半導体を用いた非磁性半導体へのスピン注入(強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域3)