高橋 宏昌 | (株)日立製作所研究開発本部
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概要
関連著者
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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高橋 宏昌
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早川 純
日立 中研
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早川 純
日立 基礎研
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日立製作所ST研究センター
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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高橋 宏昌
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東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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池田 正二
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添谷 進
日立製作所中央研究所
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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松井 正顕
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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伊藤 顕知
(株)日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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浅野 秀文
名古屋大学
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松井 正顯
名大工
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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Asano H
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
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三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
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Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
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Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
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三浦 勝哉
日立製作所基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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松井 正顕
名古屋大学
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三浦 勝哉
(株)日立製作所基礎研究所
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
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山ノ内 路彦
(株)日立製作所基礎研究所
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来田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
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山本 千早人
名古屋大学
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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添谷 進
(株)日立製作所研究開発本部
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來田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
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来田 歩
(株)日立基礎研
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山本 千早人
名古屋大学大学院工学研究科
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立製作所 基礎研究所
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早川 純
日立基礎研
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伊藤 顕知
日立製作所生産技術研究所
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大野 英男
東北大通研
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平家 誠嗣
日立基礎研
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橋詰 富博
日立基礎研
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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杉山 幹人
名古屋大学大学院工学研究科
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市村 雅彦
日立基礎研
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河原 尊之
日立製作所・中央研究所
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後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
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後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
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李 永〓
東北大学電気通信研究所
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伊藤 顕知
日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
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松倉 文[ひろ]
東北大学電気通信研究所
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松井 正顯
名古屋大学大学院工学研究科
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小埜 和夫
(株)日立製作所中央研究所
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藤森 正成
日立中研
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藤森 正成
日立基礎研
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高橋 宏昌
日立基礎研
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伊藤 顕知
日立ケンブリッジ研究所
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池田 正二
東北大通研
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松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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Akinaga Hiroyuki
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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松岡 秀行
日立製作所中央研究所
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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小原 安弘
名古屋大学大学院工学研究科
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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高橋 宏昌
日立ストレージテクノロジーリサーチセンタ
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添谷 進
日立ストレージテクノロジーリサーチセンタ
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松倉 文
東北大学 電気通信研究所
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小埜 和夫
日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
日立製作所中央研究所
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山ノ内 路彦
日立製作所基礎研究所
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平家 誠嗣
日立中研
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小埜 和夫
(株)日立製作所 中央研究所
著作論文
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- CrMnPt反強磁性膜を用いたFe_3O_4膜への交換磁気異方性の付与
- Fe_3O_4膜の極薄膜化における磁気・電気特性の変化
- ハーフメタル薄膜の磁気、伝導特性
- Au膜上のハーフメタルFe_3O_4薄膜の開発とその応用
- ハーフメタルFe_3O_4膜の開発と応用 : ハーフメタル適用GMR
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM