小埜 和夫 | (株)日立製作所中央研究所

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• 小埜 和夫

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• 竹村 理一郎

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• 小田部 晃

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• 小田部 晃

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• 関口 知紀

  (株)日立製作所システム開発研究所

• 河原 尊之

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• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 関口 知紀

  株式会社日立製作所中央研究所

• 関口 知紀

  (株)日立製作所中央研究所

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ

• 伊藤 顕知

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• 松岡 秀行

  (株)日立製作所基礎研究所

• 山ノ内 路彦

  (株)日立製作所基礎研究所

• 伊藤 顕知

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• 三浦 勝哉

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  (株)日立製作所基礎研究所

• 池田 正二

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• 大野 英男

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• 山本 浩之

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• 長谷川 晴弘

  (株)日立製作所基礎研究所

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所

• 伊藤 顕知

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• 伊藤 顕知

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• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 石垣 隆士

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• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所基礎研究所

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  日立製作所基礎研究所

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 池田 正二

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 高橋 宏昌

  日立製作所基礎研究所

• 河原 尊之

  日立製作所・中央研究所

• 早川 純

  日立製作所基礎研究所

• 早川 純

  日立製作所 基礎研究所

• 山本 浩之

  (株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 伊藤 顕知

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• 松岡 秀行

  日立製作所中央研究所

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所研究開発本部

• 小埜 和夫

  日立製作所中央研究所

• 竹村 理一郎

  日立製作所中央研究所

• 三浦 勝哉

  日立製作所基礎研究所

• 山ノ内 路彦

  日立製作所基礎研究所

• 早川 純

  日立 中研

• 早川 純

  日立 基礎研

• 山本 浩之

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 長谷川 晴弘

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 高橋 宏昌

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 早川 純

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 松崎 望

  (株)日立製作所 中央研究所

• 松岡 秀行

  日立製作所基礎研究所

• 三浦 勝哉

  (株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 高橋 宏昌

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• 松岡 秀行

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著作論文

• 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit3次元積層DRAMアーキテクチャ (シリコン材料・デバイス)
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(グリーン・コンピューティング,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ (集積回路)
• 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
• 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
• スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ
• スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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