関口 知紀 | 株式会社日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所システム開発研究所
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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小田部 晃
(株)日立製作所中央研究所
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小田部 晃
(株)日立製作所 中央研究所
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柳川 善光
(株)日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
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坂田 健
(株)日立製作所 中央研究所
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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梶谷 一彦
日立製作所デバイス開発センタ
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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小埜 和夫
(株)日立製作所中央研究所
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小埜 和夫
(株)日立製作所 中央研究所
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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梶谷 一彦
エルピーダメモリ(株)開発センター
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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阪田 健
日立製作所中央研究所
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関口 知紀
日立製作所中央研究所
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梶谷 一彦
エルピーダ
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木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
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青木 正和
日立製作所半導体事業部
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堀口 真志
(株)日立製作所半導体事業部
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中込 儀延
(株)日立製作所半導体事業部
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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堀口 真志
日立製作所中央研究所
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中込 儀延
株式会社 日立製作所 半導体事業部
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中込 儀延
日立製作所中央研究所
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秋山 悟
株式会社日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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藤澤 宏樹
日立製作所デバイス開発センタ
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青木 正和
日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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大倉 理
(株)日立製作所 中央研究所
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田中 均
日立超LSIシステムズ
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永島 靖
日立製作所デバイス開発センター
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梶谷 一彦
(株)日立製作所デバイス開発センター
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梶谷 一彦
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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小田部 晃
株式会社日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立・中研
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加賀 徹
日立製作所中央研究所
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大倉 理
日立製作所中央研究所
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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半澤 悟
株式会社日立製作所 中央研究所
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木村 勝高
日立製作所中央研究所
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藤澤 宏樹
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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永島 靖
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
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上田 茂樹
日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
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松岡 秀行
日立中研
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加賀 徹
日立製作所 中央研究所
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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半澤 悟
株式会社日立製作所
著作論文
- 大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式(メモリ技術)
- ギガビットDRAM用高データレート回路技術
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
- MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
- MISS型トンネル・ダイオード・メモリ用高S/N化技術
- 高速・低電力強誘電体メモリを実現する新読み出し回路方式
- 階段波出力バッファを用いた低ノイズ・高速データ伝送
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ(グリーン・コンピューティング,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 半導体メモリ
- 画像メモリ : (1)半導体メモリ
- 半導体メモリ
- 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2DRAMアレイ向け基板内ビット線型超低ノイズセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)