梶谷 一彦 | エルピーダ
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概要
関連著者
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梶谷 一彦
エルピーダ
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梶谷 一彦
エルピーダメモリ(株)開発センター
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梶谷 一彦
日立製作所デバイス開発センタ
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所システム開発研究所
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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半澤 悟
株式会社日立製作所 中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所研究開発本部
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半澤 悟
株式会社日立製作所
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川澄 篤
株式会社東芝
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川澄 篤
東芝セミコンダクター社
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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秋山 悟
株式会社日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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杉林 直彦
Nec
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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佐圓 真
日立製作所中央研究所
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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遠藤 哲郎
東北大学
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竹内 健
東大
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三輪 達
サンディスク株式会社
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神田 和重
東芝
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篠崎 直冶
Spansion
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加藤 佳一
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
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柿原 俊男
HGST
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小林 三千夫
Spansion
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塚澤 寿夫
東芝
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佐圓 真
日立
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梶谷 一彦
エルピーダメモリ株式会社
著作論文
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 大容量フラッシュメモリの可能性を探る : 進行するフラッシュ革命のインパクト(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)