河原 尊之 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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株式会社日立製作所中央研究所
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東北大学電気通信研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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(株)日立製作所中央研究所
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(株)日立製作所基礎研究所
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(株)日立製作所中央研究所
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日立製作所・中央研究所
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エルピーダメモリ(株)開発センター
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(株)日立製作所基礎研究所
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(株)日立製作所基礎研究所
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東北大学電気通信研究所
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(株)日立製作所基礎研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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小埜 和夫
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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三浦 勝哉
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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日立デバイスエンジニアリング(株)
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日立デバイスエンジニアリング(株)
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木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
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(株)日立超LSIシステムズ
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株式会社日立製作所中央研究所
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城野 雄介
(株)日立製作所半導体事業部
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高浦 則克
日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
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高浦 則克
(株)日立製作所中央研究所
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茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
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土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
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小野 豪一
日立製作所中央研究所:yrpユビキタスネットワーキング研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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清水 健央
(株)日立製作所中央研究所
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小野 豪一
(株)日立製作所中央研究所
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秋山 悟
日立製作所・中央研究所
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伊藤 清男
(株)日立製作所中央研究所
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伊藤 清男
株式会社日立製作所中央研究所
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所
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黒土 健三
日立製作所中央研究所
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守谷 浩志
日立製作所機械研究所
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関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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黒土 健三
(株)日立製作所 中央研究所
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守谷 浩志
(株)日立製作所 機械研究所
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土屋 龍太
株式会社日立製作所中央研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所
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長谷川 晴弘
(株)日立製作所基礎研究所
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堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
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佐々木 龍太郎
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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水野 弘之
(株)日立製作所中央研究所
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水野 弘之
株式会社日立製作所中央研究所
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小野 豪一
日立製作所中央研究所
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関口 知紀
(株)日立製作所システム開発研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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宮崎 祐行
日立製作所中央研究所
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渡邊 一希
株式会社日立製作所中央研究所
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渡邊 一希
日立製作所中央研究所
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宮崎 祐行
日立
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菅野 雄介
(株)日立製作所 中央研究所
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
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阪田 健
(株)日立製作所研究開発本部
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河原 尊之
株式会社 日立製作所 中央研究所
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堀内 勝忠
株式会社日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
株式会社日立製作所中央研究所
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内山 邦男
(株)日立製作所研究開発本部
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長谷川 晴弘
日立製作所基礎研究所
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菅野 雄介
日立製作所中央研究所
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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菅野 雄介
(株)日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
日立製作所基礎研究所
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田口 眞男
富士通株式会社第4システムlsi事業部
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田口 眞男
Spansion Japan
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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島崎 靖久
(株)ルネサステクノロジ
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
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日高 秀人
ルネサステクノロジ・マイコン事業部
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高島 大三郎
東芝セミコンダクター社・SoC研究開発センター
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上野 修一
ルネサステクノロジ・プロセス技術統括部
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高田 雅史
金沢大学大学院・自然科学研究科
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高橋 真史
東芝セミコンダクター社・通信SoC技術部
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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上野 修一
(株)ルネサステクノロジ
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小田部 晃
(株)日立製作所 中央研究所
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蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
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後藤 康
(株)日立製作所中央研究所
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青木 正和
日立製作所半導体事業部
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蒲原 史朗
(株)ルネサステクノロジ
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岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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高橋 真史
東芝 セミコンダクター社 通信soc技術部
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日高 秀人
ルネサステクノロジー株式会社マイコン統括本部
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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藤崎 芳久
(株)日立製作所中央研究所
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加藤 正高
日立製作所中央研究所
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大路 譲
日立製作所半導体事業部
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西田 高
日立製作所中央研究所
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川瀬 靖
日立デバイスエンジニアリング(株)
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堀口 真志
(株)日立製作所半導体事業部
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秋葉 武定
日立デバイスエンジニアリング(株)
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川尻 良樹
(株)genusion
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橘川 五郎
日立製作所中央研究所
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内山 邦男
株式会社日立製作所
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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後藤 康
(株)日立製作所 中央研究所
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李 永〓
東北大学電気通信研究所
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伊藤 顕知
日立ヨーロッパ社日立ケンブリッジ研究所
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所
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松倉 文[ひろ]
東北大学電気通信研究所
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宿利 章二
(株)GENUSION
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堀口 真志
日立製作所中央研究所
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川尻 良樹
日立製作所半導体事業部
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立花 利一
日立デバイスエンジニアリング
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境 武志
日立デバイスエンジニアリング
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宿利 章二
日立製作所中央研究所
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相良 和彦
日立製作所中央研究所
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永井 亮
日立製作所中央研究所
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長谷川 昇雄
日立製作所中央研究所
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横山 夏樹
日立製作所中央研究所
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木須 輝明
日立超LSIエンジニアリング
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山下 寿臣
日立超LSIエンジニアリング
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久禮 得男
日立製作所中央研究所
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秋山 悟
株式会社日立製作所中央研究所
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竹村 理一郎
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加藤 正高
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
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横山 夏樹
日立製作所 中央研究所
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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相良 和彦
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石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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山口 慎一郎
日立情報通信エンジニアリング株式会社
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山口 憲
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斉藤 良和
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寺尾 元康
(株)日立製作所 中央研究所
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松岡 正道
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北井 直樹
株式会社日立超LSIシステムズ
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蒲原 史朗
株式会社ルネサステクノロジ
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半澤 悟
株式会社日立製作所 中央研究所
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前田 徳章
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篠崎 義弘
株式会社日立超LSIシステムズ
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島崎 靖久
株式会社ルネサステクノロジ
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島田 茂
株式会社ルネサステクノロジ
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柳沢 一正
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
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木村 勝高
日立製作所中央研究所
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早川 純
日立製作所基礎研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
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永井 亮
(株)日立製作所中央研究所
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関口 知紀
株式会社 日立製作所 中央研究所
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秋山 悟
株式会社 日立製作所 中央研究所
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半澤 悟
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
竹村 理一郎
株式会社 日立製作所 中央研究所
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早川 純
日立製作所 基礎研究所
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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小田部 晃
(株)日立製作所中央研究所
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山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
内山 邦男
株式会社 日立製作所
-
松倉 文礼
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
-
伊藤 顕知
日立製作所生産技術研究所
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松岡 秀行
日立製作所中央研究所
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加藤 圭
Renesas Technology Corp.
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田中 英俊
(株)日立製作所中央研究所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
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西田 高
日立製作所半導体事業部生産統括本部生産技術部
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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大久保 教夫
株式会社日立製作所基礎研究所
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山岡 正直
株式会社日立製作所中央研究所
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城野 雄介
日立製作所 半導体事業部
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松倉 文
東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設
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佐伯 俊一
日立バイスエンジニアリング(株)
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宮本 直樹
日立バイスエンジニアリング(株)
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松倉 文〓
東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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李 永〓
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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目黒 敏靖
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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清水 健央
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
宮崎 祐行
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
水野 弘之
株式会社 日立製作所 中央研究所
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清水 健央
株式会社日立製作所中央研究所
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宮崎 祐行
株式会社日立製作所中央研究所
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大久保 教夫
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 芳久
(株)日立製作所
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松倉 文
東北大学 電気通信研究所
著作論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- 新メモリとSOC、今何をすべきか? : 混載メモリの課題と展望(新メモリ技術とシステムLSI)
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- 招待講演 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM) (シリコン材料・デバイス)
- C-12-42 基板電圧制御によるインバータ特性の検討(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- サブ1V DRAM設計技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- 2Mビットのスピン注入方式不揮発性RAMを試作
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 2.5V電源フラッシュメモリにおける高精度基準電圧発生回路
- ビット線クランプ方式によるフラッシュメモリ高速読出し動作の検討
- フラッシュメモリにおける高効率高電圧並びに高精度基準電圧発生回路
- フラッシュメモリにおけるウェルデコード消去方式の検討
- フラッシュメモリにおける可変ワード線電圧を用いた高信頼化書込み技術
- 低電力SRAMの技術動向(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
- 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高速、低消費電力マイクロプロセッサ技術
- 高速、低消費電力マイクロプロセッサ技術
- 超低電力システムLSI向け0.1V-CMOS集積回路 : 低電力回路技術の課題と対策
- 超低電力システムLSI向け0.1V-CMOS集積回路 : 低電力回路技術の課題と対策
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
- チップマルチプロセッサ向け自律分散型低電力システム : クロック周波数,電源電圧,基板バイアスの最適制御技術(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 招待講演 スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 (集積回路)
- 半導体メモリ
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
- スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)