藤崎 芳久 | (株)日立製作所

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概要

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関連著者

• 藤崎 芳久

  (株)日立製作所中央研究所

• 藤崎 芳久

  (株)日立製作所

• 鳥居 和功

  (株)日立製作所 中央研究所

• 松井 裕一

  (株)日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立・中研

• 松井 裕一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 岩崎 富生

  (株)日立製作所機械研究所

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• 黒土 健三

  日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

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• 高浦 則克

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• 松崎 望

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• 高浦 則克

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• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 黒土 健三

  (株)日立製作所 中央研究所

• 守谷 浩志

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• 寺尾 元康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 三木 浩史

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• 岩崎 富生

  (株)日立製作所 機械研究所

• 三木 浩史

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• 岩崎 富生

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• 寺尾 元康

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• 松崎 望

  (株)日立製作所 中央研究所

• 竹村 理一郎

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• 河原 尊之

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• 木下 勝治

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• 森川 貴博

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• 古賀 剛

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• 山本 直樹

  高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター

• 長田 健一

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• 北井 直樹

  (株)日立超LSIシステムズ

• 松岡 正道

  (株)ルネサステクノロジ

• 櫛田 恵子

  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究所

• 森川 貴博

  (株)日立製作所 中央研究所

• 木下 勝治

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山本 直樹

  高知工科大学 総合研究所

• 長田 健一

  株式会社日立製作所

• 長田 健一

  (株)日立製作所 中央研究所

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著作論文

• 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
• 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
• 強誘電体薄膜作製技術とプロセス技術
• DRAM絶縁膜用極薄PZT薄膜
• 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
• 強誘電体PZTのMOCVD成長(酸化物のエピタキシー)
• 結晶成長技術の発展を目指して(関連学会代表挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術

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