北井 直樹 | (株)日立超LSIシステムズ
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概要
関連著者
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
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長田 健一
株式会社日立製作所
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長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
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茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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高浦 則克
日立製作所中央研究所
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半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
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松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
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高浦 則克
(株)日立製作所中央研究所
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松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
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小田部 晃
(株)日立製作所 中央研究所
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蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
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蒲原 史朗
(株)ルネサステクノロジ
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竹村 理一郎
(株)日立製作所中央研究所
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黒土 健三
日立製作所中央研究所
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守谷 浩志
日立製作所機械研究所
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黒土 健三
(株)日立製作所 中央研究所
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守谷 浩志
(株)日立製作所 機械研究所
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小田部 晃
(株)日立製作所中央研究所
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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斉藤 良和
(株)ルネサステクノロジ
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藤岡 美緒
(株)ルネサステクノロジ
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森田 貞幸
(株)ルネサステクノロジ
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松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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外村 修
(株)日立製作所 中央研究所
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藤崎 芳久
(株)日立製作所中央研究所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
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寺尾 元康
(株)日立製作所 中央研究所
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松岡 正道
(株)ルネサステクノロジ
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長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
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北井 直樹
株式会社日立超LSIシステムズ
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蒲原 史朗
株式会社ルネサステクノロジ
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岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
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山本 直樹
高知工科大学 総合研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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藤崎 芳久
(株)日立製作所
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寺尾 元康
(株)日立製作所 ストレージテクノロジー研究センター
著作論文
- 書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
- 1.5V-CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術(デジタル・情報家電, 放送用, ゲーム機用システムLSI, 及び一般)
- 電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低電力SRAMへのECC回路導入に関する検討
- C-12-24 低電力 SRAM への階層型 ECC 回路導入に関する検討