電荷収集と寄生バイポーラ効果を考慮したSRAMの中性子ソフトエラー解析(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
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概要
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α線や中性子線によって生じるSRAMセルのソフトエラーについて解析した. SRAMのクロスカップルインバータの帰還作用をデバイス回路融合シミュレータを用いて正確にモデル化し, 寄生バイポーラモードによるフェイルメカニズムを解析した. また, 従来の電荷収集モードによるメモリセルのフェイルについても解析し, 両モードでメモリセルがフェイルするために必要な臨海電荷量(Q_<cg>)を計算した. Q_<cg>はそれぞれのモードで, 記憶ノードに蓄えられる電荷量(Q_<node>)に対して反対の依存性を持つことを見出した. ここで得られたQ_<cg>を使ってソフトエラー率を計算し, 実験結果と比較した結果、誤差は30%以下であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-08
著者
-
蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
-
蒲原 史朗
(株)ルネサステクノロジ
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
-
長田 健一
株式会社日立製作所中央研究所
-
北井 直樹
株式会社日立超LSIシステムズ
-
蒲原 史朗
株式会社ルネサステクノロジ
-
長田 健一
株式会社日立製作所
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