SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
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概要
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SRAMセル中の全配線構造についてグリーン関数に基づく3次元容量解析を行った。ビア接続による平行配線容量増大や配線線長差がある場合のフリンジ効果、等の立体配線に伴う3次元効果を特定した。部分構造解析による詳細検討を行い、(1)平行配線の一方にビアが接続すると、容量は1.2-1.5倍に増大(2)平行配線の一方だけの短縮により、線間容量のフリンジ成分は相対的に増加(3)MOSゲート中心が、無限遠方から2コンタクトビア間中点に接近すると、コンタクトビアとの容量が4-8倍に増大、の結果を得た。本3次元容量解析が高速ULSI設計に有効な事を示す事が出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-14
著者
-
丸泉 琢也
日立製作所 基礎研究所
-
柳生 正義
日立製作所 中央研究所
-
柳生 正義
(株)日立製作所中央研究所
-
柳生 正義
株式会社日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
山口 憲
(株)日立製作所中央研究所
-
山口 憲
アドバンスソフト株式会社技術第1部
-
長田 健一
日立製作所中央研究所
-
牛尾 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
山口 憲
日立製作所中央研究所
-
牛尾 二郎
日立製作所中央研究所
-
竹村 佳昭
日立製作所中央研究所
-
竹村 佳昭
日立製作所基礎研究所
-
牛尾 二郎
(株)日立製作所基礎研究所
-
丸泉 琢也
武蔵工業大学工学部電気電子工学科
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