エネルギ輸送モデルに基づく微細半導体シミュレーション
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概要
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コレクタ幅が100nm台のAlGaAs/GaAs-HBTにおいて現れるバリスティック輸送現象の解析のため、エネルギー輸送モデルに基づく数値シミュレーションを行った。本報告ではキャリア散乱確率のモデル化、一般化されたScharfetter-Gummel離散化方式を用いてモデル式の自己無撞着計算を行い,より少ない解析時間でモンテカルロシミュレーションと同等の物理的妥当性を持つ解が得られることを示した。計算は従来型のAlGaAs/GaAs-HBTとバリスティック効果を有効に活用する構造の一例として提案されているBCT構造について行い,キャリアの飽和速度の向上を確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-04-20
著者
-
水田 博
東京工業大学大学院理工学研究科
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山口 憲
(株)日立製作所中央研究所
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手嶋 達也
(株)日立製作所 基礎研究所
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水田 博
Hitachi Canbridge Laboratory
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手嶋 達也
株式会社日立製作所中央研究所
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水田 博
株式会社日立製作所中央研究所
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山口 憲
株式会社日立製作所中央研究所
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水田 博
日立製作所中央研究所
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