デバイスシミュレーションによるDRAMメモリセルリーク電流解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
DRAMデータ保持時間の累積頻度分布の裾野で顕在するリーク電流の特異現象(リーク電流の逆バイアス電圧に対する急増と再飽和現象)の原因を究明する為、『深い準位の偶発的発生モデル』を提案、上記提案モデルの妥当性をデバイスシミュレーションにより確認した。又、準位発生の位置バラツキが電流急増開始電圧にバラツキを発生させる事を示し、百万分の一の確率で発生する特異モードを統一的に理解出来る事を確認した。更に、メイン分布、テール分布での電流値と材料定数の関係を定量的に評価し、リーク電流の発生原因の探求を理論的に試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-26
著者
-
水田 博
東京工業大学大学院理工学研究科
-
山口 憲
(株)日立製作所中央研究所
-
手嶋 達也
(株)日立製作所 基礎研究所
-
水田 博
Hitachi Canbridge Laboratory
-
水田 博
日立製作所中央研究所
関連論文
- HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- SRAMの宇宙線中性子によるマルチエラー解析及びマルチエラー低減技術
- デバイスシミュレーションによるDRAMメモリセルリーク電流解析
- デバイスシミュレーションによるDRAMメモリセルリーク電流解析
- デバイスシミュレーションによるDRAMメモリセルリーク電流解析
- エネルギ輸送モデルに基づく微細半導体シミュレーション
- エネルギ輸送モデルに基づく微細半導体シミュレーション
- ヘテロ接合FETのアクセス領域における量子輸送
- 分子シミュレーションに基づくW-CVDプロセス解析
- 高濃度ドープチャネル移動度の電子濃度依存性解析
- SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
- SRAM回路における配線容量のセルレベル3次元一括解析
- 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)