HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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分光エリプソメトリによる成長その場観察技術と第一原理分子軌道計算法に基づく理論計算をくみ合わせ、パルス供給MOCVD法によるHfO_2薄膜成長過程の研究を行った。アモルファスHfO_2, SiO_2, 及びHfシリケート薄膜について、単位クラスターモデルにDV-Xα分子軌道計算法を適用して求めた電子状態と状態密度から電子分極率と誘電率のエネルギー依存性を求めた。製膜中の誘電率変化を計算結果と比較した結果、膜成長は2段階であり、最初にSiO_2、Hfシリケートが形成された後、HfO_2が形成するというメカニズムであることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
-
小田 俊理
東工大工
-
小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
-
鄭 仰東
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
土屋 良重
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐藤 大典
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
水田 博
東京工業大学大学院理工学研究科
-
小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
水田 博
日立製作所中央研究所
-
Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
-
Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
-
Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
-
Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
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