23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-24
著者
-
小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
-
山端 元音
東工大量子ナノ研
-
小田 俊理
東工大工
-
小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
-
小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
小寺 哲夫
東大理
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
-
内田 建
東京工業大学
-
山端 元音
東京工業大学電子物理工学専攻
-
小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
-
Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
-
Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
-
Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
-
Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
-
堀部 浩介
東工大量子ナノ研セ
-
蒲原 知宏
東工大量子ナノ研セ
-
内田 建
東工大院理工
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
関連論文
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aPS-101 近接場分光法を用いたフォトニック結晶中の光伝播特性の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 21世紀の単電子デバイス
- 電子材料-ナノシリコンとネオシリコン
- ULSI技術は電気化学の時代
- Single Electron Memory Devices Based on Plasma-Derived Silicon Nanocrystals
- Electron Transport in Nanocrystalline Si Based Single Electron Transistors
- Single-Electron Tunneling Devices Based on Silicon Quantum Dots Fabricated by Plasma Process
- ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス
- Electric Field-Effect Enhancement by a Combination of Coplanar High-Tc Superconducting Devices with Step-Edge Junctions
- Atomic Layer-by-Layer Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of SrTiO_3 Films with a Very Smooth Surface
- Electric Properties of Coplanar High-T_c Superconducting Field-Effect Devices
- 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
- MOCVD法による酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長(酸化物のエピタキシー)
- 酸化物超伝導体の原子層MOCVD法における光学的その場成長モニタ- (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- 27pC2 水素プラズマ処理による微結晶シリコンの核形成と成長(気相成長III)
- CVDによる酸化物超伝導体のlayer by layer成長とin situ光学モニタ-
- マイクロエレクトロニクス学生実験 (基礎研究特集号) -- (基礎研究と大学教育)
- Si微粒子のカソードルミネッセンス
- ZnSの自己付活発光
- 1)ZnS青色発光ダイオード(光・フィルム技術研究会(第12回))
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTA-8 縦型二重量子ドットにおける交換エネルギー(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 超低閾値ナノ共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- シリコン技術
- 21aTA-13 直列二重ドットにおけるコヒーレント伝導(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTH-1 少数電子 2 重量子ドットの高周波操作
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
- 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1.3μm帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 1)アモルファス・シリコン系アロイの光導電性(テレビジョン電子装置研究会(第125回))
- アモルファス・シリコン系アロイの光導電性
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 17aRE-3 フェムト秒パルス対による分子振動モードの動力学
- 23aXL-9 縦型二重量子ドットにおけるスピン一重項-三重項のミキシング制御(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-7 2重量子ドットスピンブロッケード条件でのマイクロ波照射効果(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ディジタルプロセスによる微結晶シリコンの作製と量子効果超集積デバイスへの応用
- Atomic Force Microscope Current-Imaging Study for Current Density through Nanocrystalline Silicon Dots Embedded in SiO_2
- Single Electron Memory Devices Based on Silicon Nanocrystals Fabricated by Very High Frequency Plasma Deposition
- ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス
- In Situ Optical Monitoring of Two-Dimensional Crystal Growth in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3O_x
- In Situ Monitoring of Optical Reflectance Oscillation in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of Oxide Superconductor Films
- Room Temperature Single-Electron Narrow-Channel Memory with Silicon Nanodots Embedded in SiO_2 Matrix
- Diagnostic Study of VHF Plasma and Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Films
- Generation of Electron Cyclotron Resonance Plasma in the VHF Band
- Two-Gate Transistor for the Study of Si/SiO_2 Interface in Silicon-on-Insulator Nano-Channel and Nanocrystalline Si Memory Device
- Structure Analysis of SrTiO_3/BaTiO_3 Strained Superlattice Films Prepared by Atomic-Layer Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Preparation Method and Optoelectrical Properties of a-Se/Cd_xSe_ Multilayer Films
- Design of Band Potential with a-Si_xGe_:H(F) Alloys
- Fabrication and Electrical Characteristics of Single Electron Tunneling Devices Based on Si Quantum Dots Prepared by Plasma Processing ( Quantum Dot Structures)
- Selective Etching of Hydrogenated Amorphous Silicon by Hydrogen Plasma ( Plasma Processing)
- Preferential Nucleation of Nanocrystalline Silicon along Microsteps
- Pulsed-Source MOCVD of High-k Dielectric Thin Films with in situ Monitoring by Spectroscopic Ellipsometry
- Superconducting Properties of Ultrathin Films of YBa_2Cu_3O_x Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition at 500℃
- Preparation and Characterization of YBaCuO Superconducting Films by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition Using β-Diketonate Complex and N_2O
- Preparation of Highly Oriented Copper Films by Photo-Assisted Chemical Vapor Deposition Using β-Diketonate Complex
- Epitaxial Growth of YBaCuO Films on Sapphire at 500℃ by Metalorganie Chemical Vapor Deposition
- Hole Transport in Silicon Thin Films with Variable Hydrogen Content
- Preparation of Polycrystalline Silicon by Hydrogen-Radical-Enhanced Chemical Vapor Deposition
- Hole Transport in a-Si:H(F) Prepared by Hydrogen-Radical-Assisted Chemical Vapor Deposition
- Preparation of Highly Photoconductive a-SiGe_x from Fluorides by Controlling Reactions with Atomic Hydrogen
- Designing New Materials with Amorphous Semiconductors : Structure and Electrical Properties of Multiply Stacked a-Si/a-SiGe_x Layers
- The Role of Hydrogen Radicals in the Growth of a-Si and Related Alloys
- Highly Oriented ZnO Films Prepared by MOCVD from Diethylzinc and Alcohols
- Fabrication of Nanocrystalline Silicon with Small Spread of Particle Size by Pulsed Gas Plasma ( Quantum Dot Structures)
- 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Stabilization of Oxygen Diffusion in Ga-Doped YBa_2Cu_3O_ Thin Films Observed by Spectroscopic Ellipsometry
- Reproducible Growth of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Derived YBa_2Cu_3O_x Thin Films Using Ultrasonic Gas Concentration Analyzer
- In Situ Growth Monitoring During Metalorganic Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3O_x Thin Films by Spectroscopic Ellipsometry
- TFTとその応用
- アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタとその集積回路
- シリコンナノ結晶のCVD成長と新機能(ナノ結晶の成長と新機能)
- Single-Electron Transistors with Two Self-Aligned Gates
- Enhanced Dielectric Properties in SrTiO_3/BaTiO_3 Strained Superlattice Structures Prepared by Atomic-Layer Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Single-Electron Tunneling in Nanocrystalline Silicon
- 高不純物濃度のETSOI (Extremely-thin SOI)拡散層における移動度の異常な振る舞い(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSB-49 チップ増強ラマン散乱分光法によるGeナノワイヤの観察(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aBJ-9 シリコン量子ドットを用いた電荷検出(24aBJ 微小接合・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 7pSA-3 単一電子2重量子ドットにおける光介在トンネリング(量子ドット,領域4)