荒川 泰彦 | 東大ナノ量子機構:東大生産研
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概要
関連著者
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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岩本 敏
東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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岩本 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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野村 政宏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大生研
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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熊谷 直人
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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熊谷 直人
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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太田 泰友
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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石田 悟己
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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Arakawa Yasuhiko
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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Guimard Denis
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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五明 明子
日本電気
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五明 明子
NEC基礎研
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田辺 克明
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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GUIMARD Denis
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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BORDEL Damien
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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Bordel Damien
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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山田 博仁
東北大学大学院工学研究科
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五明 明子
Nec基礎・環境研究所
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
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山端 元音
東工大量子ナノ研
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小田 俊理
東工大工
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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徳島 正敏
Nec 基礎・環境研究所
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五神 真
東大工
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小寺 哲夫
東大理
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小西 邦昭
東大工
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野村 政宏
東大ナノ量子機構
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岩本 敏
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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年吉 洋
東京大学 生産技術研究所
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肥後 昭男
東京大学先端研
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年吉 洋
東京大学先端研
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五神 真
東大工:crest(jst):東大ナノ量子機構
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徳島 正敏
NEC基礎研
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山田 博仁
NEC基礎研
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タンデーシーヌラット アニワット
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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ギマード デュニ
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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中岡 俊裕
東京大学生産技術研究所
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岩本 敏
東京大学先端科学技術研究センター
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小西 邦昭
東大工:crest(jst)
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石田 悟己
東京大学生産技術研究所,先端科学技術研究センター,ナノエレクトロニクス連携研究センター
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山端 元音
東京工業大学電子物理工学専攻
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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五明 明子
MIRAI-Selete
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
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Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
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Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
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Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
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天羽 真一
ICORP-JST
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藤田 博之
東京大学
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樽茶 清悟
東大工
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山田 博仁
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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Ferrus Thierry
日立ケンブリッジ研
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Williams David
日立ケンブリッジ研
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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馬場 俊彦
横浜国立大学電子情報工学科
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年吉 洋
東京大学
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小圭 哲去
東大ナノ量子機構
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都木 宏之
東大工
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渡邊 克之
東大ナノ量子機構
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樽茶 清悟
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学
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牛田 淳
NEC基礎・環境研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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肥後 昭男
東京大学 先端科学技術研究センター
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年吉 洋
東京大学生産技術研究所マイクロメカトロニクス国際研究センター
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年吉 洋
東京大学生産技術研究所
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山本 倫久
東大物工
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五明 明子
日本電気株式会社
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太田 泰友
東京大学先端科学技術研究センター
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野村 政宏
東京大学生産技術研究所
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熊谷 直人
東京大学生産技術研究所
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岩本 敏
東京大学 先端科学技術研究センター
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井手 利英
横浜国立大学工学研究院
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館林 潤
東京大学生産技術研究所
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儲 涛
Nec基礎・環境研究所:(財)光産業技術振興協会
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牛田 淳
Nec基礎・環境研究所:(財)光産業技術振興協会
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内田 建
東京工業大学
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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五十嵐 悠一
東大理
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肥後 昭男
東京大学生産技術研究所
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石田 悟己
東京大学先端科学技術研究センター
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馬場 俊彦
横浜国立大学
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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都木 宏之
東大工:東大先端研
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五十嵐 悠一
東京大学理学系研究科
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渡邉 克之
東京大学生産技術研究所
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山本 倫久
東京大学工学系研究科
-
大岩 顕
東京大学工学系研究科
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樽茶 清悟
東京大学工学系研究科
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大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
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馬場 俊彦
横浜国大 大学院工学府
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馬場 俊彦
横国大院工
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馬場 俊彦
横浜国立大学大学院工学研究院:jst-crest
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Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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堀部 浩介
東工大量子ナノ研セ
-
蒲原 知宏
東工大量子ナノ研セ
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内田 建
東工大院理工
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五明 明子
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
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井手 利英
横浜国立大学 工学研究院
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/生産技術研究所・情報・エレクトロニクス系部門
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岩本 敏
東京大学先端科学技術研究センター/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/生産技術研究所・情報・エレクトロニクス系部門
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岩本 敏
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
著作論文
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 超低閾値ナノ共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
- 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 1.3μm帯フォトニック結晶ナノ共振器レーザの室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第21回)フォトニック結晶ナノ共振器を利用した光と物質の相互作用制御
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-7 量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系を用いた超低閾値レーザ(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- フォトニック結晶ナノ共振器によるシリコンの発光増強
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (光エレクトロニクス)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (電子部品・材料)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (機構デバイス)
- 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー--単一人工原子レーザーを中心にして (半導体光源の最前線)
- 23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))