荒川 泰彦 | 東大生産研:東大ナノ量子機構
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概要
関連著者
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荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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Arakawa Yasuhiko
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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田辺 克明
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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岩本 敏
東京大学生産技術研究所
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岩本 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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野村 政宏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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石田 悟己
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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Guimard Denis
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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平川 一彦
東大生研
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町田 友樹
東大生産研
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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柴田 憲治
東大ナノ量子機構
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平川 一彦
東大生産研
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浜屋 宏平
東大生産研
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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柴田 憲治
東大生産研
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石田 悟己
東大先端研
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
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兵屋 宏平
東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ
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平川 一彦
東京大
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浜屋 宏平
九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
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渡邉 克之
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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柴田 憲治
東京大学生産技術研究所
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谷山 智康
東工大応セラ研
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熊谷 直人
東大ナノ量子機構
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柴田 憲治
東大生研
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平川 一彦
東京大学生産技術研究所
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Jung M.
東大生産研
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GUIMARD Denis
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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BORDEL Damien
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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Bordel Damien
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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有田 宗貴
東京大学先端科学技術研究センター
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川村 稔
理研
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川村 稔
東大生産研
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熊谷 直人
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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北畠 未来
東大生産研
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川村 稔
理研:jstさきがけ
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有田 宗貴
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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崔 〓鉉
東京大学生産技術研究所
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浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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増渕 覚
東大生産研
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五神 真
東大工
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小西 邦昭
東大工
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野村 政宏
東大ナノ量子機構
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岩本 敏
東大ナノ量子機構
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増渕 覚
東京大学生産技術研究所
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五神 真
東大工:crest(jst):東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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荒川 泰彦
東大生研
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太田 泰友
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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タンデーシーヌラット アニワット
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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ギマード デュニ
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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小西 邦昭
東大工:crest(jst)
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荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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尾中 寛
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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池内 公
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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尾中 寛
(株)富士通研究所
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相澤 茂樹
Ntt光ネットワークシステム研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東京大学
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富沢 将人
財団法人光産業技術振興協会:日本電信電話株式会社未来ねっと研究所
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竹本 享史
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
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尾中 寛
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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池内 公
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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竹本 享史
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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柳町 成行
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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富沢 将人
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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相澤 茂樹
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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尾中 寛
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通株式会社
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野村 政宏
東京大学生産技術研究所
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相澤 茂樹
日本電信電話(株)未来ねっと研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
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柳町 成行
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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尾中 寛
株式会社富士通研究所:(財)光産業技術振興協会
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荒川 泰彦
東大先端研
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相沢 茂樹
Ntt光ネットワークシステム研究所
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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竹本 亨史
(株)日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
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柳町 成行
光電子融合基盤技術研究所:日本電気
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田辺 克明
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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野澤 朋宏
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
宮澤 俊之
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所
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中岡 俊裕
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:上智大学理工学部機能創造理工学科
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田辺 克明
東京大学
著作論文
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 40G/100Gイーサネット標準に向けた省電力・高性能光I/O技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
- シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
- 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
- C-4-1 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 量子ドット太陽電池研究の展開
- 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展(半導体レーザ関連技術,及び一般)