渡邉 克之 | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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概要
関連著者
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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Arakawa Yasuhiko
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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渡邉 克之
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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田辺 克明
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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熊谷 直人
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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宮澤 俊之
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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横山 直樹
株式会社富士通研究所
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中岡 俊裕
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:上智大学理工学部機能創造理工学科
著作論文
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)