増渕 覚 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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増渕 覚
東京大学生産技術研究所
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町田 友樹
東大生産研
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増渕 覚
東大生産研
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浜屋 宏平
九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
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浜屋 宏平
東大生産研
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
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川村 稔
理研
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山口 健洋
東京大学生産技術研究所
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兵屋 宏平
東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ
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山口 健洋
東大生産研
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川村 稔
東大生産研
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荒井 美穂
東京大学生産技術研究所
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荒井 美穂
東大生産研
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川村 稔
理研:jstさきがけ
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子
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高橋 裕之
東大生産研
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小野 雅司
東京大学生産技術研究所
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浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
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平川 一彦
東大生研
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守谷 頼
東大生産研
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町田 友樹
東京大学生産技術研究所
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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平川 一彦
東大生産研
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杉原 加織
東大生産研
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小野 雅司
東大生産研
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
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谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
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平川 一彦
東京大
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谷山 智康
東工大応セラ研
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勝本 信吾
東大物性研
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柴田 憲治
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
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石橋 幸治
理研
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白木 靖寛
都市大総研
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橋本 義昭
東大物性研
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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平川 一彦
東京大学生産技術研究所
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河野 行雄
理研:jstさきがけ
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河野 行雄
理研
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澤野 憲太郎
都市大総研
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澤野 憲太郎
武蔵工大総研
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白木 靖寛
武蔵工大総研
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石田 悟己
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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増渕 覚
東大生研
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町田 友樹
東大生研
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柴田 憲治
東大生産研
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石田 悟己
東大先端研
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北畠 未来
東大生産研
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Jung M.
東大生産研
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橋本 義昭
東京大学物性研究所
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
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井口 和之
東大生産研
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柴田 憲治
東京大学生産技術研究所
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谷口 尚
物質材料研究機構
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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大貫 雅広
東大生産研
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渡邊 賢司
物質材料研究機構
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大貫 雅広
東京大学生産技術研究所
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井口 和之
東京大学生産技術研究所
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森川 生
東京大学生産技術研究所
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澤野 憲太郎
東京都市大
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村木 康二
NTT物性基礎研
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谷口 尚
物材機構
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柴田 憲治
東大生研
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渡邊 賢司
物材機構
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山下 達也
東大生産研
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吉田 健治
東大生産研
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浜屋 宏平
東大ナノ量子機構
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川村 稔
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東大先端研
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谷口 尚
物材研
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谷口 尚
物質・材料研究機構 物質研究所
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谷口 尚
物質・材料研究機構
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谷口 尚
(独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ
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濱屋 宏平
東大生産研
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谷口 尚
NIMS
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谷口 尚
物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ
著作論文
- 23aGS-13 NiFe強磁性電極グラフェンスピンバルブ素子におけるスピン伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pHW-2 グラフェン並列二重量子ドットにおける量子輸送現象(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aGS-13 グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴励起THz光伝導の観測(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ナノスケールグラフェン素子の作製と量子輸送現象
- 28pYH-4 AFMリソグラフィーにより作製したグラフェンナノリボンの量子輸送特性(28pYH グラフェン電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aWB-7 単層グラフェンにおける異常量子ホール効果の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-8 単層グラフェンにおけるスピン依存伝導の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aXG-3 グラフェン二重量子ドットにおけるドット間結合の制御(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-13 グラフェン量子ホール系における量子輸送現象(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 原子間力顕微鏡によるグラフェンナノ構造の創製と量子輸送現象 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-6 エッジーバルク間非平衡分布による動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-7 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの空間分布測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-8 整数量子ホール効果ブレークダウンを利用した動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pRA-14 グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pYC-7 量子ホール端状態を利用した動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-3 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの観測(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHD-3 グラフェン量子ホール系における非局所抵抗(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-9 グラフェン/h-BN量子ホール系における非局所抵抗(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果(機能ナノデバイス及び関連技術)