町田 友樹 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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町田 友樹
東京大学生産技術研究所
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増渕 覚
東京大学生産技術研究所
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荒井 美穂
東京大学生産技術研究所
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山口 健洋
東京大学生産技術研究所
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
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平川 一彦
東大生研
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町田 友樹
東大生産研
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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平川 一彦
東京大学生産技術研究所
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五十嵐 悠一
東大理
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
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五十嵐 悠一
東京大学理学系研究科
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山本 倫久
東京大学工学系研究科
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大岩 顕
東京大学工学系研究科
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樽茶 清悟
東京大学工学系研究科
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Jung Minkyung
東京大学生産技術研究所
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大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
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谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
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平川 一彦
東京大
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Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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谷口 尚
物質材料研究機構
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大貫 雅広
東大生産研
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子
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渡邊 賢司
物質材料研究機構
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大貫 雅広
東京大学生産技術研究所
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井口 和之
東京大学生産技術研究所
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森川 生
東京大学生産技術研究所
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山口 健洋
東大生産研
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荒井 美穂
東大生産研
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小野 雅司
東京大学生産技術研究所
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山本 倫久
東大物工
著作論文
- 半導体量子ホール素子における核スピン制御
- ナノスケールグラフェン素子の作製と量子輸送現象
- 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXL-10 ナノギャップ電極間のInAsドットにおける近藤効果の観測(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果(機能ナノデバイス及び関連技術)