18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 増渕 覚

  東大生産研

• 町田 友樹

  東大生産研

• 高橋 裕之

  東大生産研

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 橋本 義昭

  東大物性研

• 川村 稔

  理研

• 川村 稔

  東大生産研

• 浜屋 宏平

  東大生産研

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 兵屋 宏平

  東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ

• 橋本 義昭

  東京大学物性研究所

• 川村 稔

  理研:jstさきがけ

• 浜屋 宏平

  九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構

• 浜屋 宏平

  九州大学大学院システム情報科学研究院

関連論文

• 23aGS-13 NiFe強磁性電極グラフェンスピンバルブ素子におけるスピン伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pHW-2 グラフェン並列二重量子ドットにおける量子輸送現象(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pHV-5 1次元周期変調下の2次元電子系における高周波伝導率の測定(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aGS-13 グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴励起THz光伝導の観測(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pHV-9 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28p-ZC-2 ホッピング伝導の磁気抵抗
• 28a-ZJ-8 高抵抗微粒子膜と超伝導
• 20aHV-5 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-2 量子ホール効果ブレークダウン領域における電流ゆらぎ測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aYF-12 量子ホール系における拡散熱電能の測定(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pHV-7 量子ホール系の熱電効果におけるモットの関係式の実験的検証(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-1 量子ホール領域における拡散慈電能の充填率依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-11 横結合型量子ドットを用いた量子ホール状態の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aYJ-8 微細孔をあけた微小超伝導体における渦糸状態の観測(28aYJ 超伝導(渦糸),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 30pTX-6 横結合型量子ドットを用いたスピン偏極の検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYE-5 多端子Hall crossによる微小超伝導体の渦糸状態の観測(21aYE 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 22pYF-8 半導体2次元電子系とキャパシタンス結合した超伝導単電子トランジスタの電荷状態(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-1 アンチドット周りにおけるエッジ状態のスクリーニング効果(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-4 横結合型量子ドットにおける励起状態の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWA-8 Hall Crossを用いた微小超伝導体における渦糸状態の観測(電荷密度波・超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pTH-1 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起
• 18pRC-8 量子ホール系における抵抗検出核磁気共鳴(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
• 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
• 8a-N-8 奇整数量子ホール効果状態における磁気抵抗の温度依存性
• 28p-R-10 奇整数量子ホール効果状態におけるエネルギーギャップの磁場依存性
• 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
• 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象I : 角度および電荷密度依存性
• 奇整数量子ホール効果状態におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
• 28a-YG-1 微細構造をもつ超伝導/強磁性複合膜の特性
• 20pHV-8 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-5 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• ナノスケールグラフェン素子の作製と量子輸送現象
• 28pYH-4 AFMリソグラフィーにより作製したグラフェンナノリボンの量子輸送特性(28pYH グラフェン電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pYK-8 動的核スピン偏極によるv=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWB-7 単層グラフェンにおける異常量子ホール効果の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-8 単層グラフェンにおけるスピン依存伝導の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYC-3 GaAs2次元正孔系の強局在領域における正の巨大磁気抵抗(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXG-3 グラフェン二重量子ドットにおけるドット間結合の制御(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-13 グラフェン量子ホール系における量子輸送現象(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 原子間力顕微鏡によるグラフェンナノ構造の創製と量子輸送現象 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
• 17pTC-5 EuのΔF=+2超微細禁止遷移の観測
• 17aYH-4 (Ga,Mn)Asの磁場による金属絶縁体転移
• 28aTB-4 (In,Mn)Asの軟X線吸収・発光分光
• 28aTB-1 III-V族希薄磁性半導体の金属絶縁体転移
• 22aK-11 (Ga,Mn)Asの磁場による金属絶縁体転移
• 24aC-7 (Ga, Mn)Asの成長面内における磁気異方性
• 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
• 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pYK-5 ナノスピントロニクス素子によるスピンフィルタ(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 3p-YE-4 超伝導微粒子のSTS
• 28a-L-8 STMによる微粒子電子状態の観察
• 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-6 エッジーバルク間非平衡分布による動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-7 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの空間分布測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-8 整数量子ホール効果ブレークダウンを利用した動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pRA-14 グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-2 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測II(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-12 CdTe基板における核スピンコヒーレント時間(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pYC-7 量子ホール端状態を利用した動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-8 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の空間分布(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-3 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの観測(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHD-3 グラフェン量子ホール系における非局所抵抗(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-13 量子ホール状態の崩壊に伴う電流ゆらぎの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-11 量子ポイントコンタクトを用いた抵抗検出型核磁気共鳴(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-10 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-9 グラフェン/h-BN量子ホール系における非局所抵抗(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 青柳克信,石橋幸治,高柳英明,中ノ勇人,平山祥郎, 基礎からわかるナノデバイス, コロナ社, 東京, 2011, vi+242p, 21×15cm, 本体3,400円, [大学院向], ISBN978-4-339-00823-4
• 26pSA-11 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測II(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aSB-9 グラフェンメゾスコピック細線における磁気整合効果(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-2 グラフェンナノリボンにおける光応答伝導特性(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pPSA-8 量子ホール効果ブレークダウンに伴って発生する1/f雑音の評価(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEC-7 h-BN上のグラフェンナノリボンの伝導特性(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aEC-12 バリスティックグラフェンにおける磁気整合効果(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aEC-11 グラフェン十字型細線におけるエレクトロンフォーカシング効果(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-1 Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-5 量子ホール状態にあるコルビノ型円盤における電流雑音測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXT-5 グラフェンにおけるバリスティック伝導と光電圧効果(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aXT-9 高移動度h-BN上グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴による光起電力効果(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXP-2 グラフェンnpn接合におけるFabry-Perot干渉(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pPSA-5 コルビノ型円振における量子ホール効果ブレークダウンの発現機構(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク