24pRA-14 グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-08-18
著者
-
町田 友樹
東大生産研
-
石橋 幸治
理研
-
石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
-
増渕 覚
東京大学生産技術研究所
-
河野 行雄
理研:jstさきがけ
-
河野 行雄
理研
-
増渕 覚
東大生研
-
町田 友樹
東大生研
-
石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
-
町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
-
町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子
関連論文
- 23aGS-13 NiFe強磁性電極グラフェンスピンバルブ素子におけるスピン伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pHW-2 グラフェン並列二重量子ドットにおける量子輸送現象(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aGS-13 グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴励起THz光伝導の観測(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pHV-9 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aHV-5 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-2 量子ホール効果ブレークダウン領域における電流ゆらぎ測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXG-2 グラフェン結合量子ドットにおけるクーロンブロッケイド効果の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pYH-5 グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
- 25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
- 24aS-10 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性
- カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pHV-8 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-5 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ナノスケールグラフェン素子の作製と量子輸送現象
- 28pYH-4 AFMリソグラフィーにより作製したグラフェンナノリボンの量子輸送特性(28pYH グラフェン電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYK-8 動的核スピン偏極によるv=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWB-7 単層グラフェンにおける異常量子ホール効果の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-8 単層グラフェンにおけるスピン依存伝導の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ナノ構造技術
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ波応答
- カーボンナノチューブ人工原子とテラヘルツ量子応答
- カーボンナノチューブ人工原子とそのテラヘルツ波応答
- 24aTH-7 カーボンナノチューブ量子ドットにおけるコトンネリング伝導(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTA-1 カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光子応答(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXG-3 グラフェン二重量子ドットにおけるドット間結合の制御(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-13 グラフェン量子ホール系における量子輸送現象(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 原子間力顕微鏡によるグラフェンナノ構造の創製と量子輸送現象 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
- 29pZP-4 二層カーボンナノチューブ量子ドットへの単一キャリア注入(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 30pZP-5 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化III(ナノチューブ・ピーポッド)(領域7)
- 23aXF-9 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化 II
- 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-6 エッジーバルク間非平衡分布による動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-7 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの空間分布測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-8 整数量子ホール効果ブレークダウンを利用した動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pRA-14 グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- 25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
- 23aXA-2 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測II(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
- 29a-PS-55 Ni細線における磁化緩和
- 23aWH-12 CdTe基板における核スピンコヒーレント時間(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18aRJ-1 カーボン13ナノチューブの成長と評価(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pXB-9 カーボンナノチューブ量子ドットのスピン状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- カーボンナノチューブを用いた磁気接合素子における巨大磁気抵抗効果
- カーボンナノチューブ量子ドット中の単一電子スピンの発生と操作
- 単層カーボンナノチューブによる高スピン偏極電流の発現
- 13aWB-5 単層カーボンナノチューブへの高スピン偏極電流の注入(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 23aXF-4 単層・多層ナノチューブにおけるスピンコヒーレンス
- カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 19pYC-7 量子ホール端状態を利用した動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-8 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の空間分布(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-3 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの観測(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHD-3 グラフェン量子ホール系における非局所抵抗(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHG-13 量子ホール状態の崩壊に伴う電流ゆらぎの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-11 量子ポイントコンタクトを用いた抵抗検出型核磁気共鳴(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-10 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-9 グラフェン/h-BN量子ホール系における非局所抵抗(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 青柳克信,石橋幸治,高柳英明,中ノ勇人,平山祥郎, 基礎からわかるナノデバイス, コロナ社, 東京, 2011, vi+242p, 21×15cm, 本体3,400円, [大学院向], ISBN978-4-339-00823-4
- 26pSA-11 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測II(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aSB-9 グラフェンメゾスコピック細線における磁気整合効果(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pBJ-2 グラフェンナノリボンにおける光応答伝導特性(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-8 量子ホール効果ブレークダウンに伴って発生する1/f雑音の評価(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEC-7 h-BN上のグラフェンナノリボンの伝導特性(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aEC-11 グラフェン十字型細線におけるエレクトロンフォーカシング効果(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-1 Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-5 量子ホール状態にあるコルビノ型円盤における電流雑音測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXT-5 グラフェンにおけるバリスティック伝導と光電圧効果(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aXT-9 高移動度h-BN上グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴による光起電力効果(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXP-2 グラフェンnpn接合におけるFabry-Perot干渉(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pPSA-5 コルビノ型円振における量子ホール効果ブレークダウンの発現機構(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))