22aTL-9 グラフェン/h-BN量子ホール系における非局所抵抗(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2011-08-24

著者

• 山口 健洋

  東大生産研

• 増渕 覚

  東大生産研

• 守谷 頼

  東大生産研

• 町田 友樹

  東大生産研

• 谷口 尚

  物材機構

• 渡邊 賢司

  物材機構

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 山口 健洋

  東京大学生産技術研究所

• 谷口 尚

  物材研

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 物質研究所

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構

• 谷口 尚

  (独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ

• 谷口 尚

  NIMS

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 超高圧グループ

• 井口 和之

  東大生産研

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子

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