町田 友樹 | 東大生産研:東大ナノ量子
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概要
関連著者
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子
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町田 友樹
東大生産研
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増渕 覚
東大生産研
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大貫 雅広
東大生産研
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谷口 尚
物材機構
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渡邊 賢司
物材機構
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山口 健洋
東大生産研
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荒井 美穂
東大生産研
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増渕 覚
東京大学生産技術研究所
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井口 和之
東大生産研
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山口 健洋
東京大学生産技術研究所
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守谷 頼
東大生産研
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谷口 尚
物質・材料研究機構 超高圧グループ
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井上 義久
東大生産研
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森川 生
東大生産研
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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小野 輝男
京大化研
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荒川 智紀
京大化研
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山内 祥晃
京大化研
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知田 健作
京大化研
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小林 研介
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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橋坂 昌幸
東工大極低温セ:東工大院物性物理
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町田 友樹
東京大学生産技術研究所
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小野 輝男
慶大理工
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宇佐美 徳隆
東北大金研
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川村 稔
理研
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荒井 美穂
東京大学生産技術研究所
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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星 裕介
東京都市大学工学部
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澤野 憲太郎
東京都市大学
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谷口 尚
物質材料研究機構
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増渕 覚
東大生産研:東大ナノ量子
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白木 靖寛
東京都市大
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渡邊 賢司
物質材料研究機構
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大貫 雅広
東京大学生産技術研究所
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井口 和之
東京大学生産技術研究所
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森川 生
東京大学生産技術研究所
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小野 輝男
大阪大院基礎工
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澤野 憲太郎
東京都市大
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橋坂 昌幸
京大化研
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河野 公俊
理研
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大野 圭司
理研
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橋坂 昌幸
東工大理工
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勝本 信吾
東大物性研
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町田 友樹
JSTさきがけ
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石橋 幸治
理研
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橋本 義昭
東大物性研
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石橋 幸治
(独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室
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河野 行雄
理研:jstさきがけ
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河野 行雄
理研
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勝本 信吾
東大物性研:東大ナノ量子機構
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白木 靖寛
東京都市大学
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増渕 覚
東大生研
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町田 友樹
東大生研
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西原 禎孝
京大化研
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谷口 尚
物材研
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谷口 尚
物質・材料研究機構 物質研究所
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谷口 尚
物質・材料研究機構
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谷口 尚
(独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ
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浜屋 宏平
九大シス情報
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兵屋 宏平
東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ
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谷口 尚
NIMS
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川村 稔
理研:jstさきがけ
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浜屋 宏平
九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
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石橋 幸治
独立行政法人理化学研究所
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増渕 覚
東大生産研:東大ナノ量子機構
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河野 公俊
理研:東工大理
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Gottwald Daniel
理研
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谷口 尚
物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ
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Gottwald Daniel
理研:konstantz大
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大貫 雅弘
東大生産研
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大野 圭司
東京大学理学系研究科
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白木 靖寛
東京都市大総研
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増渕 覚
東大ナノ量子機構:東大ナノ量子機構
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梅津 青司
東大ナノ量子機構
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守谷 頼
東大ナノ量子機構
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山下 達也
東大ナノ量子機構
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町田 友樹
東大ナノ量子機構
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子:JSTさきがけ
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構
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町田 友樹
東大ナノ量子機構:東大ナノ量子機構
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渡邊 賢治
物材機構
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星 裕介
東京都市大総研
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浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
大野 圭司
東大理:
著作論文
- 原子間力顕微鏡によるグラフェンナノ構造の創製と量子輸送現象 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pRA-14 グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aHD-3 グラフェン量子ホール系における非局所抵抗(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHG-13 量子ホール状態の崩壊に伴う電流ゆらぎの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-11 量子ポイントコンタクトを用いた抵抗検出型核磁気共鳴(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-10 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-9 グラフェン/h-BN量子ホール系における非局所抵抗(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 青柳克信,石橋幸治,高柳英明,中ノ勇人,平山祥郎, 基礎からわかるナノデバイス, コロナ社, 東京, 2011, vi+242p, 21×15cm, 本体3,400円, [大学院向], ISBN978-4-339-00823-4
- 27pCJ-2 偶数量子ホール状態ブレークダウンを用いた動的核スピン偏極(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aSB-9 グラフェンメゾスコピック細線における磁気整合効果(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pBJ-2 グラフェンナノリボンにおける光応答伝導特性(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEC-7 h-BN上のグラフェンナノリボンの伝導特性(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aEC-12 バリスティックグラフェンにおける磁気整合効果(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aEC-11 グラフェン十字型細線におけるエレクトロンフォーカシング効果(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-1 Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXT-5 グラフェンにおけるバリスティック伝導と光電圧効果(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aXT-9 高移動度h-BN上グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴による光起電力効果(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXP-2 グラフェンnpn接合におけるFabry-Perot干渉(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- グラフェンにおけるバリスティック伝導・光電圧効果(機能ナノデバイス及び関連技術)