川村 稔 | 理研:jstさきがけ
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概要
関連著者
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川村 稔
理研
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川村 稔
理研:jstさきがけ
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町田 友樹
東大生産研
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川村 稔
東大生産研
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兵屋 宏平
東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ
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浜屋 宏平
九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
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浜屋 宏平
東大生産研
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浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
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勝本 信吾
東大物性研
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橋本 義昭
東大物性研
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橋本 義昭
東京大学物性研究所
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増渕 覚
東大生産研
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高橋 裕之
東大生産研
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小野 雅司
東京大学生産技術研究所
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増渕 覚
東京大学生産技術研究所
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小野 雅司
東大生産研
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勝本 信吾
東大物性研:東大ナノ量子機構
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谷山 智康
東工大応セラ研
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平川 一彦
東大生研
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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柴田 憲治
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
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柴田 憲治
東大生研
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平川 一彦
東大生産研
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山下 達也
東大生産研
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平川 一彦
東京大学生産技術研究所
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石田 悟己
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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柴田 憲治
東大生産研
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石田 悟己
東大先端研
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北畠 未来
東大生産研
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Jung M.
東大生産研
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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平川 一彦
東京大
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
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柴田 憲治
東京大学生産技術研究所
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高木 英典
理研
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五十嵐 九四郎
東工大応セラ研
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笹川 崇男
東工大応セラ研
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花栗 哲郎
理研
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河野 公俊
理研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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高木 英典
理化学研究所
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高木 秀典
東大物性研
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杉原 加織
東大生産研
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Toyoda Haruhisa
Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Takagi Hidenori
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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高木 英典
理研:東北大多元研:東大新領域
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Takagi Hidenori
Engineering Research Institute Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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Takagi Hidenori
Department Of Advanced Materials Science University Of Tokyo
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Katsumoto Shingo
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation
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花栗 哲郎
独立行政法人理化学研究所基幹研究所高木磁性研究室
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河野 公俊
理研:東工大理
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小林 典男
東北大金研
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佐々木 孝彦
東北大金研
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池畑 誠一郎
東理大理
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大野 圭司
理研
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守谷 頼
東大生産研
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本多 由季
東北大金研
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伊藤 雅浩
東理大理:理研
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小林 清男
東北大金研
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小林 典男
東北大学金属材料研究所
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佐々木 孝彦
東北大学金属材料研究所
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白木 靖寛
都市大総研
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池畑 誠一郎
東大 理
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浜屋 宏平
東大ナノ量子機構
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川村 稔
東大ナノ量子機構
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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澤野 憲太郎
都市大総研
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澤野 憲太郎
武蔵工大総研
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白木 靖寛
武蔵工大総研
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佐々木 俊彦
東北大金研
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小林 典男
IMR
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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増渕 覚
東大ナノ量子機構:東大ナノ量子機構
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梅津 青司
東大ナノ量子機構
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守谷 頼
東大ナノ量子機構
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山下 達也
東大ナノ量子機構
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町田 友樹
東大ナノ量子機構
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町田 友樹
東大ナノ量子機構:東大ナノ量子機構
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子
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澤野 憲太郎
東京都市大
著作論文
- 20pHV-9 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pHV-8 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-5 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-8 動的核スピン偏極によるv=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWB-7 単層グラフェンにおける異常量子ホール効果の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-8 単層グラフェンにおけるスピン依存伝導の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pYF-7 金属ナノギャップ間に挟まれたCdSe半導体ナノ結晶の電気伝導2(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pXA-11 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3におけるDirac表面状態の磁場中STM/STS(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pXA-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の高磁場磁気抵抗,磁気トルク測定(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pCJ-2 偶数量子ホール状態ブレークダウンを用いた動的核スピン偏極(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))