兵屋 宏平 | 東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ

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概要

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関連著者

• 兵屋 宏平

  東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ

• 浜屋 宏平

  九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構

• 町田 友樹

  東大生産研

• 浜屋 宏平

  東大生産研

• 川村 稔

  理研

• 浜屋 宏平

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 川村 稔

  東大生産研

• 川村 稔

  理研:jstさきがけ

• 谷山 智康

  東工大応セラ研

• 増渕 覚

  東大生産研

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 高橋 裕之

  東大生産研

• 北本 仁孝

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• 北本 仁孝

  東京工業大学

• 宗片 比呂夫

  東工大像情報

• 谷山 智康

  東工大総理工

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設

• 宗片 比呂夫

  東工大・像情報

• 北本 仁孝

  東京工大 大学院総合理工学研究科

• 平川 一彦

  東大生研

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 柴田 憲治

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• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 平川 一彦

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• 小野 雅司

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• 柴田 憲治

  東大生産研

• 石田 悟己

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• 橋本 義昭

  東京大学物性研究所

• 平川 一彦

  東京大

• 柴田 憲治

  東京大学生産技術研究所

• 柴田 憲治

  東大生研

• 平川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 宗片 比呂夫

  東大大工

• Jung M.

  東大生産研

• 守谷 頼

  東工大像情報

• 荒川 泰彦

  1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 澤野 憲太郎

  武蔵工大総研

• 白木 靖寛

  武蔵工大総研

• 北畠 未来

  東大生産研

• 濱屋 宏平

  東工大総理工

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ

• 白木 靖寛

  東京都市大学工学部

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

• 浜屋 宏平

  九大シス情報

• 加藤 裕明

  東工大総理工

• 浜屋 宏平

  東工大総理工

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 谷山 智康

  東工大応セラ研:jstさきがけ

• 浜屋 宏平

  東大ナノ量子機構

• 川村 稔

  東大ナノ量子機構

• 荒川 泰彦

  東大先端研

• 兵屋 宏平

  東工大総理工

• 大岩 顕

  科技団さきがけ

• 宗方 比呂夫

  東工大像情報

• 大岩 顕

  東京大学工学系研究科

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子

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著作論文

• 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWB-7 単層グラフェンにおける異常量子ホール効果の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-8 単層グラフェンにおけるスピン依存伝導の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-6 エッジーバルク間非平衡分布による動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-7 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの空間分布測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12pWB-8 (Ga, Mn) As 薄膜の交流磁化率と磁気異方性(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
• 27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
• 27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• (Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
• (Ga, Mn)As薄膜における面内磁気抵抗の温度依存性
• 21pPSA-16 (Ga, Mn)As 細線の磁気抵抗と磁気異方性
• 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))

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