平川 一彦 | 東大生研

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概要

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• 東大生研の論文著者

関連著者

• 平川 一彦

  東大生研

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 平川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 平川 一彦

  東大生産研

• 柴田 憲治

  東大生研

• 柴田 憲治

  東大ナノ量子機構

• 小宮山 進

  東大総合文化

• 生嶋 健司

  東京農工大工

• 鵜沼 毅也

  名大院工

• 樽茶 清悟

  東大工

• 川路 紳治

  学習院大理

• 関根 徳彦

  情報通信研究機構

• 生嶋 健司

  東大総合文化

• 佐久間 寿人

  東京大学総合文化研究科

• Deacon R.

  東大工

• 大岩 顕

  東大工

• 佐久間 寿人

  東大総合文化

• 町田 友樹

  東大生産研

• Shimada Y

  Dept. Of Japanese Oriental Medicine Faculty Of Medicine University Of Toyama

• 吉田 勝治

  ICORP-JST

• 若林 淳一

  学習院大理

• 深瀬 哲郎

  東北大金研

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 深野 敦之

  学習院大理

• 金井 康

  東大工

• 榊 裕之

  東大生産研

• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 榊 裕之

  東大生研

• 浜屋 宏平

  東大生産研

• 石田 悟己

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 柴田 憲治

  東大生産研

• 石田 悟己

  東大先端研

• 谷山 智康

  東工大応セラ研

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 寳迫 巌

  情報通信研究機構

• 後藤 貴行

  東北大金研

• 榊 裕之

  東京大学先端科学技術研究センター

• 井野 雄介

  東大工

• 寳迫 巌

  NICT

• 深野 敦之

  学習院大・理

• 酒瀬川 洋平

  東大生研

• 高橋 駿

  東大工

• 後藤 貴行

  上智大理工

• 増渕 覚

  東大生産研

• 後藤 貴之

  上智大理工

• 小池 洋二

  東北大金研

• 榊 裕之

  東大先端研:新技術事業団

• 長谷川 琢真

  東大総合文化

• 川村 稔

  理研

• 川村 稔

  東大生産研

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 五神 真

  東大工:crest(jst):東大ナノ量子機構

• 寶迫 巌

  情報通信研究機構

• 平川 一彦

  東京大学 生産技術研究所 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 井原 章之

  東大生研

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 吉田 幸彦

  東理大理

• 福谷 克之

  東大生研

• 室 清文

  千葉大院理

• 金光 義彦

  京大化研

• 阿部 真理

  東京大学生産技術研究所

• 池畑 誠一郎

  東理大理

• 松尾 康光

  摂南大工

• 板倉 祥哲

  東大生研

• 松本 益明

  東大生研

• 岡野 達雄

  東大生研

• 若林 淳一

  中大理工

• 大類 隆博

  学習院大 理

• 吉田 正裕

  東大物性研

• 秋山 英文

  東大物性研

• 山本 倫久

  東大工:erato-jst

• 町田 友樹

  東京大学生産技術研究所

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 生嶋 健司

  東大院総合

• 謝花 良貴

  学習院大 理

• 川路 紳治

  学習院大 理

• 鈴木 純児

  学習院大理

• 岡本 徹

  学習院大理

• 山本 愛士

  奈良先端大物質

• 小宮山 進

  東大院総合文化

• 上田 剛慈

  JST-SORST

• 上田 剛慈

  東大総合文化

• 小宮山 進

  東京大学総合文化研究科

• 上田 剛慈

  東大院総合文化

• 平川 一彦

  東大総合文化

• 内田 清隆

  学習院大理

• 小林 研介

  東大物性研

• 数藤 哲

  学習院大理

• 吉田 健治

  東大生産研

• 樽茶 清悟

  東大物工

• 関根 徳彦

  (独)情報通信研究機構

• 田中 雅明

  東大工学系研究科

• 金井 康

  東大物工

• Deacon R.

  東大物工

• 大岩 顕

  東大物工

• Cardenas J.

  エコールノルマルシューペリエ

• Ferreira R.

  エコールノルマルシューペリエ

• Bastard G.

  エコールノルマルシューペリエ

• 平川 一彦

  東大生研・ナノ量子機構

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 出原 敏孝

  福井大学遠赤外領域開発研究センター

• 光藤 誠太郎

  福井大学遠赤外領域開発研究センター

• 小林 研介

  京大化研

• 中村 新男

  名大院工

• 大谷 知行

  理研

• 永山 達也

  千葉大院理

• 伊藤 裕紀

  千葉大院理

• 角屋 豊

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 光藤 誠太郎

  福井大遠赤センター

• 光藤 誠太郎

  岡山大理

• 光藤 誠太郎

  東北大・金研

• 出原 敏孝

  福井大

• 出原 敏孝

  福井大工

• 出原 敏孝

  福井大 工

• 上村 洸

  東京理科大学総合研究機構

• 西川 治

  金沢工大

• 高柳 英明

  東理大

• 斗内 政吉

  大阪大学レーザーエネルギー学研究センター

• 島野 亮

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 川瀬 晃道

  名古屋大学 エコトピア科学研究所

• 川瀬 晃道

  理化学研究所

• 渡辺 英一郎

  物材機構

• 羽取 純子

  摂南大工

• 李 承雄

  東京大学生産技術研究所

• 広谷 仁寿

  東京大学生産技術研究所

• Lelong Ph.

  東京大学生産技術研究所

• 羽取 純子

  東理大理

• 大竹 秀幸

  アイシン精機

• 谷 正彦

  福井大学遠赤外領域開発研究センター

• 中村 新

  名大院工

• 五神 真

  東大工

• 角屋 豊

  Crest Jst:広大先端

• 石黒 亮輔

  東理大理

• 田中 耕一郎

  京都大学

• 田中 耕一郎

  京都大

• 福谷 克之

  東京大学生産技術研究所

• 鈴木 純児

  学習院大 理

• 岡本 徹

  学習院大 理

• 年吉 洋

  東大生産研

• 南出 泰亜

  理研基幹研

• 福谷 克之

  東大生産技術研

• 津谷 大樹

  物材機構

• 神尾 充弥

  東理大

• 中島 翔

  東理大

• 気谷 卓

  東理大

• 深川 尚義

  東理大

• 金 鮮美

  物材機構

• 上田 剛慈

  SORST, Japan Science and Technology Corporation (JST)

• 長谷川 琢真

  東大院総合文化

• 吉村 育大

  東大院総合文化

• 佐久間 寿人

  東大院総合文化

• 小宮山 進

  東京大学大学院総合文化研究科

• 上村 洸

  東理大理

• 大谷 知行

  理化学研究所

• 樽茶 清悟

  Ntt物基礎研:東大

• 石黒 亮輔

  東理大

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 池畑 誠一郎

  東大 理

• 紀和 利彦

  岡山大

• 津谷 大樹

  理研:東工大総理工

• 川口 康

  科学技術振興事業団

• 大平 康隆

  東京大学生産技術研究所マイクロメカトロニクス国際研究センター

• 年吉 洋

  東京大学生産技術研究所マイクロメカトロニクス国際研究センター

• 年吉 洋

  東京大学 生産技術研究所

• 松尾 康光

  東理大理

• 小野 雅司

  東京大学生産技術研究所

• 小野 雅司

  東大生産研

• 田中 耕一郎

  京都大学大学院理学研究科

• 年吉 洋

  東京大学生産技術研究所

• 浅田 雅洋

  東工大

• 大谷 啓太

  東北大

• 田窪 健二

  島津製作所

• 山本 倫久

  東大物工

• 年吉 洋

  東京大学先端研

• 川瀬 晃道

  名古屋大学

• 南出 泰亜

  理研仙台

• 大竹 秀幸

  アイシン精機(株)

• 角屋 豊

  広島大

• 安田 浩朗

  独立行政法人情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター

• 関根 徳彦

  独立行政法人情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター

• 津谷 大樹

  (独)物質・材料研究機構

• 寶迫 巌

  独立行政法人情報通信研究機構

• 長嶋 登志男

  中大理工

• 出原 敏孝

  福井大学工学部応用物理学科

• 上村 洸

  東京理科大学理学部応用物理

• 上村 洸

  東大理物理

• 上村 洸

  東京大学理学部物理学教室

• 谷 正彦

  福井大

• 浅田 雅洋

  東工大総理工

• 島野 亮

  東京大

• 斗内 政吉

  大阪大

• 生駒 俊明

  東大 生産技研

• 大谷 知行

  理化学研究所 宇宙放射線研究室

• 鵜沼 毅也

  東京大学 生産技術研究所 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 酒瀬川 洋平

  東京大学 生産技術研究所 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 朱 亦鳴

  東京大学 生産技術研究所 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

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著作論文

• 21pHW-5 自己形成InAs量子ドットを接合に用いたSQUIDの研究(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHW-5 InAlAs/InGaAs多重量子井戸ヘテロ界面の2次元電子ガスからの電界電子放射(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHW-6 半導体超格子のTHzブロッホ放射の励起スペクトル(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-5 量子ホール電子系のTHz光子計数イメージングII(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-3 量子ホール効果崩壊現象における非平衡電子分布の自己組織化構造2(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 量子ドットTHz光子検出器とそのイメージング応用 : パッシブTHz顕微鏡(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 19pYC-4 量子ホール電子系のテラヘルツ光子計数イメージングI(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-2 量子ホール効果崩壊現象における非平衡電子分布の自己組織化構造(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-5 サイクロトロン発光で見る高次ランダウ準位の非平衡電子分布(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13pYB-3 量子ホール系のサイクロトロン発光 II : フォトンカウンティング計測(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-2 量子ホール系のサイクロトロン発光 I : イメージングと分光(量子ホール効果, 領域 4)
• 29pYG-2 量子ホール効果崩壊現象における非平衡電子分布(量子ホール効果)(領域4)
• 21pTL-13 量子ホール素子の THz イメージング II : 量子ホール効果崩壊現象
• 21pTL-12 量子ホール素子の THz イメージング I : エッジチャネルからのサイクロトロン発光
• 26aYG-7 多重量子井戸ヘテロ界面の2次元電子ガスからの電界電子放射(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
• 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
• 28pYH-4 AFMリソグラフィーにより作製したグラフェンナノリボンの量子輸送特性(28pYH グラフェン電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• テラヘルツエレクトロニクス
• LQE2000-18 変調ドープ横方向伝導型赤外光検出器 : 構造、感度、スペクトル
• 21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aXG-11 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導特性のサイドゲート制御(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• CS-11-5 半導体量子構造を用いたTHz・赤外光発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
• 半導体ブロッホ発振器 : 実現に向けた課題と展望
• 26pZK-6 半導体超格子のブロッホ振動のダイナミクスとフォートニック結晶との相互作用(テラヘルツ領域における非線形光学・高密度励起現象の新展開,領域4,領域5,領域8合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXD-11 半導体超格子における過渡的テラヘルツ放射とステップ応答の考察(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pZK-6 半導体超格子のブロッホ振動のダイナミクスとフォトニック結晶との相互作用(領域4,領域5,領域8合同シンポジウム:テラヘルツ領域における非線形光学・高密度励起現象の新展開,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 28pVA-7 テラヘルツ微小共振器と強く結合した半導体超格子のブロッホ振動(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 30pTX-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価とその制御(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-5 超極薄AlAs層挿入によるGaAs量子井戸のサブバンド間吸収線幅の制御(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aPS-42 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相II(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pYF-6 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導電流の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 液中でのレーザー励起プラズマによる3次元カラー画像表示器
• 25pWJ-12 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 駒場リサーチキャンパス公開講演「未開発の光 : テラヘルツ電磁波技術の新展開」
• 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pPSB-24 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27pXC-6 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pPSB-27 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相III(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 3a-Eー8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン
• 4a-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
• 4p-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
• 23pWB-2 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2のテラヘルツ時間領域分光測定(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 24pYJ-9 超プロトン伝導体CsHSeO_4のテラヘルツ時間領域分光測定(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
• 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
• キャリアライフタイム制御可能な高感度中赤外光子検出器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 30p-Q-14 量子ホール効果を用いた遠赤外光検出器の実験的研究
• 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aXL-10 ナノギャップ電極間のInAsドットにおける近藤効果の観測(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-9 InAs量子ドットジョセフソン接合におけるスピン一重項・三重項近藤効果における電気伝導(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-10 半導体超格子におけるTHz放射の複素電界スペクトルと励起子効果(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pXL-2 半導体超格子のブロッホ振動 : 非古典的振動子のテラヘルツ利得(24pXL 領域4,領域5合同シンポジウム:半導体量子構造が開くテラヘルツテクノロジー,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 第11回半導体超構国際会議(MSS 11)報告
• 会議だより 第11回半導体超構造国際会議
• 29pYH-3 半導体超格子中のブロッホ振動と inversionless gain
• SC-11-3 テラヘルツ分光を用いた半導体中のキャリアダイナミクスと超高周波伝導率の計測
• THz EOサンプリング法を用いた半導体の超高速キャリア速度評価
• 半導体超格子のブロッホ振動 : 非古典的振動子のテラヘルツ利得
• CT-2-5 量子ナノ構造の物理とテラヘルツデバイスへの展開(CT-2.ナノ・メカ・バイオ機能材料のデバイス・システムへの応用の新展開,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• 量子効果デバイスとテラヘルツゲイン(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• テラヘルツ電磁波でみる半導体中の電子波束の超高速ダイナミクス ("開拓"進むテラヘルツ領域)
• 半導体超格子のブロッホゲイン
• 6a-A2-2 ν
• 27pXC-4 新型高感度中赤外ディテクターでのin-situライフタイム制御性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 研究解説「先端研究を支える流体テクノ室」
• C-10-8 テラヘルツ電磁波測定によるHEMTの遮断周波数測定システム(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C. Hamaguchi, Basic Semiconductor Physics, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg and New York, 2001, xii+434p., 24×15.5cm, \8,290, [大学院向]
• 1998年ノーベル物理学賞:物理学の新局面を拓いた分数量子ホール効果--ツイ博士,ストーマー博士,ラフリン博士の業績
• 4a-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
• 4p-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
• 29p-C-4 高分解能電子線エネルギー損失分光を用いた半導体表面振動励起電子構造の解明
• 27pHD-10 自己形成InAs量子ドットにおけるg-テンソルの電気的制御(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aHC-8 単一InAs Quantum Dotのコヒーレント分光(26aHC 若手奨励賞受賞記念講演/新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 24aTR-11 自己形成InAs量子ドット超伝導量子干渉計における強い近藤効果領域での位相測定(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTM-1 単一InAs自己形成量子ドットにおける光介在トンネル(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• ジャイロトロンからのサブテラヘルツ強電場を用いたフォトン介在トンネルに基づく半導体超格子中の電流抑制と増大のクロスオーバー(テラヘルツ・マイクロ波ミリ波フォトニクスデバイスの新展開,一般)
• 高温動作に向けたテラヘルツ帯量子カスケードレーザの設計(テラヘルツ・マイクロ波ミリ波フォトニクスデバイスの新展開,一般)
• 金属ナノ接合におけるエレクトロマイグレーションの素過程と単一分子トランジスタ作製への応用
• ナノギャップ電極を用いた量子トランジスタの作製と電子伝導
• 高強度テラヘルツ電磁波を用いた半導体超格子の伝導制御
• 24pPSA-32 テラヘルツ放射分光における因果律に基づいた時間原点の決定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27pBL-10 磁場中PLE測定によるInAs量子ドットの励起状態への光学遷移の同定(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
• 29pXQ-2 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 3a-E-8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)

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