鵜沼 毅也 | 名大院工

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概要

• 同名の論文著者
• 名大院工の論文著者

関連著者

• 鵜沼 毅也

  名大院工

• 平川 一彦

  東大生研

• 中川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 平川 一彦

  東京大

• 吉田 正裕

  東大物性研

• 秋山 英文

  東大物性研

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 平川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 鵜沼 毅也

  東大物性研

• 岸田 英夫

  名大院工

• 中村 新男

  名大院工

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 中村 新

  名大院工

• 山本 愛士

  奈良先端大物質

• 小林 研介

  東大物性研

• 井野 雄介

  東大工

• 岸田 英夫

  名大院工:JST CREST

• 家 泰弘

  東大物性研

• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

• 榊 裕之

  東大先端研

• 榊 裕之

  東大先端研:新技術事業団

• 榊 裕之

  東京大学先端科学技術研究センター

• 榊 裕之

  (社)応用物理学会

• 野田 武司

  生産研

• 橋本 義昭

  東大物性研

• 金光 義彦

  奈良先端大物質

• 五神 真

  東大工:crest(jst):東大ナノ量子機構

• 関根 徳彦

  情報通信研究機構

• 藤井 健司

  名大院工

• 金光 義彦

  京大化研

• 榊 裕之

  生産研

• 平川 一彦

  東大生産研

• 酒瀬川 洋平

  東大生研

• 五神 真

  東大ナノ量子機構

• 鵜沼 毅也

  東大生産研

• 榊 裕之

  生産技術研究所

• Hong Eun-young

  亜洲大mst

• Lee Suck-Hyun

  亜洲大MST

• Kwon O-Pil

  亜洲大MST

• 小林 研介

  京大化研

• 寳迫 巌

  情報通信研究機構

• 馬場 基芳

  東大物性研

• 榊 裕之

  東大生産研

• 五神 真

  東大工

• 高橋 輝行

  東大物性研

• 野田 武司

  東大生産研

• 寳迫 巌

  NICT

• 関根 徳彦

  (独)情報通信研究機構

• 寶迫 巌

  情報通信研究機構

• 平川 一彦

  東京大学 生産技術研究所 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 鵜沼 毅也

  東京大学 生産技術研究所 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 酒瀬川 洋平

  東京大学 生産技術研究所 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 朱 亦鳴

  東京大学 生産技術研究所 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 高田 宗一朗

  名大院工

• 関根 徳彦

  東京大学生産技術研究所

• 関根 徳彦

  東大生産研

• 橋本 義昭

  東京大学物性研究所

• 鵜沼 毅也

  東京大学生産技術研究所

• 五神 真

  東大理

• Peiponen Kai-Erik

  東フィンランド大

• Vartiainen Erik

  ラッペーンランタ工科大

• 梅本 篤宏

  名大院工

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著作論文

• 22pHK-10 導電性ポリチオフェンのテラヘルツ複素伝導度スペクトルII(22pHK 非線形光学・低次元物質,領域5(光物性))
• 領域4,領域5,領域8「テラヘルツ領域における非線形光学・高密度励起現象の新展開」(2009年秋季大会シンポジウムの報告)
• 19aYJ-4 半導体量子井戸のサブバンド吸収幅における不純物・アロイ散乱の効果とバンド非放物線性の影響
• 28pTB-2 GaAs量子井戸におけるサブバンド吸収幅の温度・井戸幅依存性
• 20pTH-1 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起
• CS-11-5 半導体量子構造を用いたTHz・赤外光発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
• 26aXD-11 半導体超格子における過渡的テラヘルツ放射とステップ応答の考察(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pVE-5 超極薄AlAs層挿入によるGaAs量子井戸のサブバンド間吸収線幅の制御(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aPS-42 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相II(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pWJ-12 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pPSB-24 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27pXC-6 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pPSA-79 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起 III(領域 5)
• 28pPSB-8 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起II(領域4ポスターセッション)(領域4)
• 25pPSB-27 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相III(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 27aPS-84 導電性ポリチオフェンのテラヘルツ複素伝導度スペクトル(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25pSB-7 GaAs量子井戸のサブバンド吸収幅における凸凹散乱の効果
• 24pXL-2 半導体超格子のブロッホ振動 : 非古典的振動子のテラヘルツ利得(24pXL 領域4,領域5合同シンポジウム:半導体量子構造が開くテラヘルツテクノロジー,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYH-5 GaAs 量子井戸におけるサブバンド間遷移の線幅の物理
• 25pPSA-61 高導電性ポリアニリンのテラヘルツ複素伝導度スペクトル(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23aRB-5 導電性高分子におけるテラヘルツ複素伝導度のキャリア密度依存性(23aRB 領域5,領域10合同 低次元物質・誘電体・分光法,領域5(光物性))
• 24pPSA-32 テラヘルツ放射分光における因果律に基づいた時間原点の決定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26pPSA-39 ポリチオフェン配向薄膜のテラヘルツ複素伝導度スペクトル(励起子,微粒子,ナノ結晶,その他,領域5ポスターセッション,領域5(光物性))

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