橋本 義昭 | 東京大学物性研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
橋本 義昭
東京大学物性研究所
-
橋本 義昭
東大物性研
-
勝本 信吾
東大物性研
-
家泰 弘
東大物性研:crest Jst
-
家 泰弘
物性研
-
家 泰弘
東大物性研
-
家 泰弘
東京大学物性研究所
-
勝本 信吾
東京大学物性研究所
-
橋本 義昭
東京大学物性研
-
勝本 信吾
東京大学物性研
-
町田 友樹
東大生産研
-
川村 稔
理研
-
川村 稔
理研:jstさきがけ
-
家泰 弘
東大物性研
-
川村 稔
東大生産研
-
勝本 信吾
東大物性研:東大ナノ量子機構
-
高橋 裕之
東大生産研
-
春山 純志
青学大理工
-
浜屋 宏平
東大生産研
-
兵屋 宏平
東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ
-
浜屋 宏平
九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
-
春山 純志
青山学院大 大学院
-
藤田 和博
東京大学物性研究所
-
浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
藤田 和博
東京大学物性研
-
遠藤 彰
東大物性研
-
小野 雅司
東京大学生産技術研究所
-
小野 雅司
東大生産研
-
家 泰弘
物理系学術誌刊行協会
-
金 善宇
東京大学物性研究所
-
上川 正太
青山学院大学理工学専攻
-
阿部 英介
東大物性研
-
Rao A.
クレムソン大
-
高堂 寿士
東大物性研
-
小寺 克昌
東大物性研
-
春山 純志
青学理工:jst-crest
-
Katsumoto Shingo
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation
-
丸山 茂夫
東京大学機械工学専攻
-
八木 優子
青山学院大学理工学専攻
-
加藤 悠人
東京大学物性研究所
-
橋本 泰樹
青山学院大学理工学専攻
-
増渕 覚
東大生産研
-
山下 達也
東大生産研
-
増渕 覚
東京大学生産技術研究所
-
Kang Ning
東大物性研
-
趙 沛
東大
-
町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
-
中村 壮智
東京大学物性研究所
-
里見 槙平
青山学院大学理工学専攻
-
櫻元 健志
青山学院大学理工学専攻
-
小杉 直輝
青山学院大学理工学専攻
-
趙 沛
東京大学機械工学専攻
-
上條 潤一
青山学院大理工
-
加藤 建彰
青山学院大理工
-
鵜沼 毅也
名大院工
-
岡本 徹
東大理
-
河野 公俊
理研
-
吉田 正裕
東大物性研
-
秋山 英文
東大物性研
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
遠藤 彰
東京大学物性研究所
-
五神 真
東大工
-
山本 愛士
奈良先端大物質
-
鵜沼 毅也
東大物性研
-
小林 研介
東大物性研
-
金光 義彦
奈良先端大物質
-
井野 雄介
東大工
-
Heroux J.B.
東大工
-
大屋 満明
東大理
-
竹内 啓悟
京大院情報
-
當山 清彦
東大理
-
當山 清彦
東大理:nec
-
春山 純志
青山学院大理工
-
大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
-
Heroux J.b.
東大工:sorst(jst)
-
小寺 克昌
東京大学物性研究所
-
鈴木 一也
東大物性研
-
Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
-
河野 公俊
理研:東工大理
-
Soerdal Vegard
東京大学物性研究所
-
Rao A.
クレムソン大学
-
中村 悠紀
青山学院大学理工学専攻
-
Thurakitseree T.
東京大学機械工学専攻
-
春山 純志
青山学院大学理工学専攻
-
竹内 啓悟
青山学院大学理工学専攻
-
小杉 直樹
青山学院大学理工学専攻
-
橋本 泰樹
青山学院大理工
-
橋本 大樹
青山学院大理工
-
Yan Z.
Rice University
-
Tour J.
Rice University
-
Soriano D.
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology
-
Roche S.
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology
-
岸本 将広
青山学院大理工
-
大屋 満明
パナソニック(株) デバイス社 基盤技術開発センター
-
八木 優子
青山学院大理工
著作論文
- 20pHV-9 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYF-8 半導体2次元電子系とキャパシタンス結合した超伝導単電子トランジスタの電荷状態(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHV-8 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-5 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-8 動的核スピン偏極によるv=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pYC-3 GaAs2次元正孔系の強局在領域における正の巨大磁気抵抗(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13pPSA-79 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起 III(領域 5)
- 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27aXB-8 正孔量子ホール系における非周期的抵抗ゆらぎ(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-5 正孔量子ホール系における長時間緩和を伴う磁気抵抗のヒステリシス(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aYT-11 2次元正孔量子ホール系のν=1/3付近における異常(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24aTG-4 2次元正孔系アンチドット格子の整合性磁気抵抗振動(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-9 2次元正孔系の高次ランダウ準位における抵抗異方性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTG-3 2次元正孔系アンチドット格子の磁気抵抗におけるベリー位相の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXC-6 Terahertz emission from dilute magnetic semiconductors
- 26aHD-11 スピン軌道相互作用のある系における量子ポイントコンタクトのスピン偏極検出(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aCE-12 スピン軌道相互作用の強い量子ドット-アハロノフボームリング複合系の伝導(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aFB-4 スピン軌動相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aEC-9 電気二重層を含む各種方法でキャリアドープしたナノチューブ薄膜の磁化・電気特性(21aEC ナノチューブ(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-3 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-5 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pXQ-10 スピン軌道相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出II(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-12 強磁性グラフェンナノ細孔アレイで創製したTMR構造の物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pDK-11 SiC熱分解形成グラフェンへの強磁性ナノ細孔アレイの創製とその物性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))