27pVE-5 超極薄AlAs層挿入によるGaAs量子井戸のサブバンド間吸収線幅の制御(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

元データ 2009-03-03 社団法人日本物理学会

著者

鵜沼 毅也 名大院工
中村 新男 名大院工
平川 一彦 東大生研
中村 新 名大院工
平川 一彦 Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
平川 一彦 東京大学生産技術研究所
酒瀬川 洋平 東大生研
高田 宗一朗 名大院工
中川 一彦 東京大学生産技術研究所
平川 一彦 東京大

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