27pVE-5 超極薄AlAs層挿入によるGaAs量子井戸のサブバンド間吸収線幅の制御(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
鵜沼 毅也
名大院工
-
中村 新男
名大院工
-
平川 一彦
東大生研
-
中村 新
名大院工
-
平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
-
平川 一彦
東京大学生産技術研究所
-
酒瀬川 洋平
東大生研
-
高田 宗一朗
名大院工
-
中川 一彦
東京大学生産技術研究所
-
平川 一彦
東京大
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