鵜沼 毅也 | 東大物性研
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概要
関連著者
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秋山 英文
東大物性研
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鵜沼 毅也
東大物性研
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吉田 正裕
東大物性研
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鵜沼 毅也
名大院工
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野田 武司
生産研
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家 泰弘
東大物性研
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勝本 信吾
東大物性研
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榊 裕之
東京大学生産技術研究所
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榊 裕之
東大先端研
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榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
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榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
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榊 裕之
(社)応用物理学会
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山本 愛士
奈良先端大物質
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橋本 義昭
東大物性研
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小林 研介
東大物性研
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金光 義彦
奈良先端大物質
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榊 裕之
生産研
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野田 武司
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榊 裕之
生産技術研究所
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渡邉 紳一
東大物性研
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馬場 基芳
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東大生産研
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高橋 輝行
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東京大学物性研究所
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榊 裕之
東大物性研
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吉田 正裕
東大生産研
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N. Pfeiffer
ルーセント・ベル研
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W. West
ルーセント・ベル研
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Pinczuk A.
コロンビア大
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W. Boldwin
ルーセント・ベル研
著作論文
- 19aYJ-4 半導体量子井戸のサブバンド吸収幅における不純物・アロイ散乱の効果とバンド非放物線性の影響
- 28pTB-2 GaAs量子井戸におけるサブバンド吸収幅の温度・井戸幅依存性
- 20pTH-1 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起
- 13pPSA-79 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起 III(領域 5)
- 28pPSB-8 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起II(領域4ポスターセッション)(領域4)
- 25pSB-7 GaAs量子井戸のサブバンド吸収幅における凸凹散乱の効果
- 29pYH-5 GaAs 量子井戸におけるサブバンド間遷移の線幅の物理
- 6pSA-3 アイランド挿入されたGaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収線幅(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
- 24pWE-3 T型単一量子細線レーザーの発振特性(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))