若林 淳一 | 中大理工
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概要
関連著者
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若林 淳一
中大理工
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長嶋 登志夫
中大理工
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茂筑 高士
金材技研
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長鳩 登志夫
中大理工
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奥田 法樹
中大理工
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住吉 勝彦
中大理工
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門脇 和男
金材技研
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平田 和人
金材技研
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門脇 和男
筑波大物質工
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玉川 敦
中大理工
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門脇 和男
筑波大物質
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根間 裕史
東大物性研
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遠藤 彰
東大物性研
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石川 徹
中大理工
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三島 一乃
中大理工
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根間 裕史
中大理工
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佐野 和也
中大理工
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白石 沙代
中大理工
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家 泰弘
東大物性研
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梅鶯 健太
中大理工
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門脇 和男
金材技研筑波
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和田 卓
中大理工
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蔵重 健司
中大理工
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竹前 憲一
中大理工
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平川 一彦
東大生研
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廿楽 雅和
中大理工
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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榊 裕之
東大生研
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長嶋 登志男
中大理工
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石川 浩樹
中大理工
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小平 幹
中大理工
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小原 顕
中大理工
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平川 一彦
東京大
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長島 登志夫
中大理工
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村上 研太郎
中大理工
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尾高 孝祐
中大理工
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都築 優和
中大理工
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家 泰弘
物性研
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佐野 朋哉
中大理工
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石毛 秀和
中大理工
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茂筑 高士
筑波大学数理物質:物材機構超伝導材料セ
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榊 裕之
東京大学生産技術研究所
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茂筑 高志
金材技研
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茂築 高士
金材技研
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カザヴィ サイ
物質研
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吉村 卓
中大理工
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馬場 俊介
沖電気工業(株)
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畑 佳恵
中大理工
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嶋田 勇也
中大理工
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都築 慶和
中大理工
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松永 公彦
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遠藤 彰
物性研
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樽見 悟
中大理工
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森谷 修司
中大理工
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平川 和彦
東大生研
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門脇 和男
金材技研
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汪 ウンジュン
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磯 尚樹
中大理工
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岡林 大樹
中大理工
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相馬 孝吏
中大理工
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酒井 英之
中大理工
著作論文
- 21pHV-4 ランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ構造二次元電子系の磁気抵抗 : 相関長依存性(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aGS-11 平行磁場中のグラフェンの低温電気伝導(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30p-Q-8 量子ホール効果における端電流
- 17pYG-8 分布をもつ磁場下の量子ホール効果 : スピンに依存した温度依存性
- 26p-YG-10 量子ホール効果における端電流・II
- 26p-YG-10 量子ホール効果における端電流・II
- 30p-Q-8 量子ホール効果における端電流
- 28aTX-9 平均値がゼロ及び正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗III(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aRC-8 周期的変調磁場下のヘテロ界面二次元電子系の負磁気抵抗(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRC-9 平均値がゼロおよび正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗II(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXL-11 平均値がゼロおよび正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗II(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-12 周期的変調磁場下の希薄二次元電子系の負磁気抵抗(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-5 平均値がゼロ及び正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗(28aXB アンダーソン局在・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-61 サブマイクロンSOI-MOS二次元電子系の伝導度ゆらぎ(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSB-15 端ゲート付き GaAs/AlGaAs ヘテロ構造試料の量子ホール効果 II
- 21pTL-10 単一微小 Ni 薄膜付き GaAs/AlGaAs ヘテロ界面 2 次元電子系の異常磁気抵抗
- 17pYG-9 単一微小Niディスク付きGaAs/AlGaAsヘテロ界面2次元電子系の共鳴的巨大磁気抵抗
- 大塚洋一, 小林俊一編, 輸送現象測定, 丸善, 東京, 1999, xiv+356p., 21.5×15cm, 本体5,800円, (丸善 実験物理学講座11), [大学院向・専門書]
- 23aL-4 量子ホール効果における静電ポテンシャル分布の現象論的計算
- 端ゲート付き試料における量子ホール効果
- 4a-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 4p-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 28p-R-4 不均一磁場下の量子ホール効果・III
- 31a-M-11 局所磁化緩和の理論
- 28p-R-4 不均一磁場下の量子ホール効果・III
- 不均一磁場下の量子ホール効果・II
- 微小Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶超伝導体の極低温磁化緩和率の磁場および温度依存性II
- 不均一磁場下の量子ホール効果・II
- 不均一磁場下の量子ホール効果
- 2DEGホール素子による微小Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶超伝導体の磁化
- 28p-X-7 不均一磁場下の量子ホール効果
- 29a-M-8 量子ホール効果におけるエッジ電流とバルク電流II
- 25pHG-1 ランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ構造二次元電子系の磁気抵抗 : 相関長依存性II(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aTA-4 平行磁場下の二層グラフェンの磁気抵抗(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTA-3 平行磁場下の単層グラフェンの磁気抵抗(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 30p-YN-8 強磁場中のシリコンMOS反転層の交流電気伝導
- 29a-M-8 量子ホール効果におけるエッジ電流とバルク電流 II
- 4a-J-8 量子ホール効果におけるエッジ電流とバルク電流
- 4p-J-8 量子ホール効果におけるエッジ電流とバルク電流
- 25aSB-8 平行磁場下の二層グラフェンの磁気抵抗II(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aSB-7 平行磁場下のグラフェンの磁気抵抗(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pCJ-9 ランダム磁場下のGaAs/AlGaAs二次元電子系の磁気抵抗のスケーリング(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXJ-2 凹凸のあるSiO_2基板上グラフェンの磁気抵抗(26pXJ 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果・電子相関),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXP-8 単一微少Niディスク付きGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の共鳴的巨大磁気抵抗・II(26pXP 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 2p-YE-10 微小Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶超伝導体の極低温磁化緩和率の磁場および温度依存性(2pYE 低温(高温超伝導・混合状態(相図,磁気緩和等)),低温)