奥田 法樹 | 中大理工
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概要
関連著者
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奥田 法樹
中大理工
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鈴木 孝至
広大院先端
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若林 淳一
中大理工
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藤田 敏三
広大院先端研
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奥田 法樹
広大院先端
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鈴木 考至
広大理
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Fujita Toshizo
Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University
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藤田 敏三
広大院先端
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Fujita Takaaki
Kyushu University
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鈴木 孝至
広大院先端物質:広大先進セ
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五嶋 宏史
広大院先端
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Fujiwara Tabito
Kyokugen Osaka University
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石井 勲
広大院先端
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高畠 敏郎
広大院先端
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石井 勲
広大院先端物質
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加藤 健一
広大院先端
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五嶋 比宏史
広大理
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Fujita Toshiaki
Department Of Physics Division Of Material Science Nagoya University
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蔵重 健司
中大理工
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前野 悦輝
京大院理
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大貫 惇睦
阪大理院
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高畠 敏郎
広島大院先端物質
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小口 多美夫
広大院先端
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鈴木 孝至
広大理
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藤田 敏三
広大理
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山本 悦嗣
原研先端研
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芳賀 芳範
原研先端研
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毛 志強
京大院理:(現)tulane大
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桧垣 春弘
広大院先端物質
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五嶋 宏史
広大理
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毛志 強
京大院理:crest-jstb
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辺土 正人
阪大理
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稲田 佳彦
阪大理
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高畠 敏郎
広島大 総合科
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大貫 惇睦
阪大理物理
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前野 悦輝
京都大院理
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高畠 敏郎
広大院先端物質:広大先進セ
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和田 卓
中大理工
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石川 浩樹
中大理工
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小平 幹
中大理工
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奥田 法樹
広大理
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大貫 惇睦
阪大理
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田巻 明
東京電機大
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桧垣 春弘
広大院先端
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伊賀 文俊
広大院先端
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毛 志強
京大院理
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日浦 さやか
広大院先端研
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高畠 敏朗
広大院先端研
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家 泰弘
東大物性研
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播磨 尚朝
阪大産研
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田巻 明
東京電機大工
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折茂 慎一
東北大金研
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遠藤 彰
東大物性研
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毛志 強
京大院理
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藤田 敏三
Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University
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藤田 敬三
広大・理
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池田 一貴
東北大金研
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檜垣 春弘
広大院先端物質
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折茂 慎一
東北大学金属材料研究所
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池田 一貴
東北大学金属材料研究所
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田巻 明
東京電機大学
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藤田 敏三
広大先端
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中森 裕子
東北大学金属材料研究所
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Fujimura Tadao
Research Institute For Scientific Measurements And Department Of Physics Tohoku University
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中森 裕子
東北大金研
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橋尾 範
東京電機大学
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吉村 卓
中大理工
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Fujita Toshiaki
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Hiroshima University
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奥田 法樹
東北大金研
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馬場 俊介
沖電気工業(株)
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畑 佳恵
中大理工
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嶋田 勇也
中大理工
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Fukamachi T
Department Of Physics Division Of Material Science Nagoya University
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Fukamachi Toshihiko
Nanoelectronics Collaborative Research Center Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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高畠 敏朗
広大院先端
著作論文
- 25pSD-6 Sr_2RU0_4の歪み応答 II
- 22pZG-4 Sr_2RuO_1の歪み応答
- 29p-H-9 LuB_の音響的de Haas-van Alphen効果
- 18pYD-2 UCu_2Snの熱膨張
- 22pZF-14 UCu_2Snにおける四重極子秩序
- 25pYK-11 金属間化合物MPd(M=アルカリ土類金属)の水素化特性と低温物性(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aRC-8 周期的変調磁場下のヘテロ界面二次元電子系の負磁気抵抗(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRC-9 平均値がゼロおよび正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗II(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXL-11 平均値がゼロおよび正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗II(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-12 周期的変調磁場下の希薄二次元電子系の負磁気抵抗(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-5 平均値がゼロ及び正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗(28aXB アンダーソン局在・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-61 サブマイクロンSOI-MOS二次元電子系の伝導度ゆらぎ(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSB-15 端ゲート付き GaAs/AlGaAs ヘテロ構造試料の量子ホール効果 II
- 21pTL-10 単一微小 Ni 薄膜付き GaAs/AlGaAs ヘテロ界面 2 次元電子系の異常磁気抵抗
- CeRu_2の音響的de Haas van Alphen効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 30p-P-11 CeRu_2の音響的dHvA効果
- 24aPS-72 UCu_2Snの四重極子秩序と結晶場モデル(24aPS 4f・5f電子系,重い電子系,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))