28aXB-5 平均値がゼロ及び正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗(28aXB アンダーソン局在・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 若林 淳一

  中大理工

• 奥田 法樹

  中大理工

• 蔵重 健司

  中大理工

関連論文

• 21pHV-4 ランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ構造二次元電子系の磁気抵抗 : 相関長依存性(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aGS-11 平行磁場中のグラフェンの低温電気伝導(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pSD-6 Sr_2RU0_4の歪み応答 II
• 22pZG-4 Sr_2RuO_1の歪み応答
• 29p-H-9 LuB_の音響的de Haas-van Alphen効果
• 18pYD-2 UCu_2Snの熱膨張
• 22pZF-14 UCu_2Snにおける四重極子秩序
• 30p-Q-8 量子ホール効果における端電流
• 17pYG-8 分布をもつ磁場下の量子ホール効果 : スピンに依存した温度依存性
• 26p-YG-10 量子ホール効果における端電流・II
• 26p-YG-10 量子ホール効果における端電流・II
• 30p-Q-8 量子ホール効果における端電流
• 25pYK-11 金属間化合物MPd(M=アルカリ土類金属)の水素化特性と低温物性(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aTX-9 平均値がゼロ及び正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗III(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aRC-8 周期的変調磁場下のヘテロ界面二次元電子系の負磁気抵抗(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-9 平均値がゼロおよび正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗II(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-11 平均値がゼロおよび正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗II(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-12 周期的変調磁場下の希薄二次元電子系の負磁気抵抗(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-5 平均値がゼロ及び正のランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の磁気抵抗(28aXB アンダーソン局在・その他,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-61 サブマイクロンSOI-MOS二次元電子系の伝導度ゆらぎ(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSB-15 端ゲート付き GaAs/AlGaAs ヘテロ構造試料の量子ホール効果 II
• 21pTL-10 単一微小 Ni 薄膜付き GaAs/AlGaAs ヘテロ界面 2 次元電子系の異常磁気抵抗
• 17pYG-9 単一微小Niディスク付きGaAs/AlGaAsヘテロ界面2次元電子系の共鳴的巨大磁気抵抗
• 大塚洋一, 小林俊一編, 輸送現象測定, 丸善, 東京, 1999, xiv+356p., 21.5×15cm, 本体5,800円, (丸善 実験物理学講座11), [大学院向・専門書]
• 23aL-4 量子ホール効果における静電ポテンシャル分布の現象論的計算
• 端ゲート付き試料における量子ホール効果
• CeRu_2の音響的de Haas van Alphen効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 30p-P-11 CeRu_2の音響的dHvA効果
• 4a-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
• 4p-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
• 28p-R-4 不均一磁場下の量子ホール効果・III
• 31a-M-11 局所磁化緩和の理論
• 28p-R-4 不均一磁場下の量子ホール効果・III
• 不均一磁場下の量子ホール効果・II
• 微小Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶超伝導体の極低温磁化緩和率の磁場および温度依存性II
• 不均一磁場下の量子ホール効果・II
• 不均一磁場下の量子ホール効果
• 2DEGホール素子による微小Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶超伝導体の磁化
• 28p-X-7 不均一磁場下の量子ホール効果
• 29a-M-8 量子ホール効果におけるエッジ電流とバルク電流II
• 25pHG-1 ランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ構造二次元電子系の磁気抵抗 : 相関長依存性II(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTA-4 平行磁場下の二層グラフェンの磁気抵抗(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTA-3 平行磁場下の単層グラフェンの磁気抵抗(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 30p-YN-8 強磁場中のシリコンMOS反転層の交流電気伝導
• 29a-M-8 量子ホール効果におけるエッジ電流とバルク電流 II
• 4a-J-8 量子ホール効果におけるエッジ電流とバルク電流
• 4p-J-8 量子ホール効果におけるエッジ電流とバルク電流
• 25aSB-8 平行磁場下の二層グラフェンの磁気抵抗II(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aSB-7 平行磁場下のグラフェンの磁気抵抗(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-9 ランダム磁場下のGaAs/AlGaAs二次元電子系の磁気抵抗のスケーリング(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXJ-2 凹凸のあるSiO_2基板上グラフェンの磁気抵抗(26pXJ 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果・電子相関),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aPS-72 UCu_2Snの四重極子秩序と結晶場モデル(24aPS 4f・5f電子系,重い電子系,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pXP-8 単一微少Niディスク付きGaAs/AlGaAsヘテロ界面二次元電子系の共鳴的巨大磁気抵抗・II(26pXP 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 2p-YE-10 微小Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶超伝導体の極低温磁化緩和率の磁場および温度依存性(2pYE 低温(高温超伝導・混合状態(相図,磁気緩和等)),低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク